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  • 35 트랜지스터 스위치
    35. 트랜지스터 스위치실 험 순 서① 그림 35-7의 회로를 결선하여라. 이때 100kΩ의 베이스 저항 R와 4.7kΩ의 콜렉터 저항은 트랜지 스터가 포화되도록 선정되었다.② V와 콜렉터 전압 V및 베이스 전압 V..
    공학/기술| 2011.06.17| 3페이지| 1,000원| 조회(360)
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  • 18 게이트 증폭기
    18. 공통 게이트 증폭기목적- 2전원 바이어스된 공통 게이트 JFET증폭기의 직류 및 교류 특성을 조사한다.관련이론(1) 최대 게이트 전압- 금속산화물의 얇은 층을 파손시키지 않는 범위 내에서 게이트와 소스간에 인..
    공학/기술| 2011.06.17| 3페이지| 1,000원| 조회(145)
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  • 15JFET의 바이어스 평가A+최고예요
    15. JFET의 바이어스실 험 순 서1. 자기 바이어스 회로① 그림 15-7의 회로를 결선하여라.② 접지에 대한 드레인, 소스, 게이트 전위를 측정하여 표 15-1에 기입하여라.③ 측정된 값을 사용하여 V, V, ..
    공학/기술| 2011.06.17| 3페이지| 1,000원| 조회(314)
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  • 14JFET결과보고서
    14. JFET의 직류 특성실 험 순 서1. 회로시험기를 사용한 접합 FET검사① 회로시험기를 저항계 R×1kΩ의 위치에 놓고 게이트와 소스 사이 접합저항을 측정하여라. 측정은 처음에는 게이트와 소스가 순방향 바이어..
    공학/기술| 2011.06.17| 5페이지| 1,000원| 조회(156)
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  • 3-7 트랜지스터
    7. 트랜스 직류 특성(1) 트랜지스터의 구조2층으로 구성된 반도체 다이오드에 세 번째의 층이 더해지면, 이 소자는 전력, 전류, 전압을 증폭할 수 있는 기능을 가지는데, 이 소자를 바이폴라 트랜지스터, 접합 트랜지..
    공학/기술| 2011.06.17| 7페이지| 1,000원| 조회(69)
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