"반도체 scrubber" 검색결과 1-20 / 71건

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  과불화 화합물의 정의 및 규제현황

  되고 있는 상황이다. 즉, 분리회수 기술개발 연구가 학교나 연구소를 중심으로 한 기초연구 성격으로 진행되고 있는 반면, 반도체 장비업체나, scrubber업체들은 대부분 분해제거 ... 기술 개발에 더 큰 비중을 두고 개발하고 있으며, 이미 Hitachi, BOC Edwards, Enviro-Matrix 등에서는 분해제거용 scrubber를 개발하여 시판을 하고 있 ... 을 이용한 PFC scrubber가 개발되었으며, 국내의 경우 유니온 산업 (현재의 유니셈(주))은 간접가열/습식방식을 이용한 PFC gas 처리용 scrubber 개발이라는 연구

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.02

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  GST

  GST"시가총액 : 2,646억원""주요 고객사 : 삼성전자, 하이닉스, YMTC, Innotron, Micron"1. Scrubber반도체와 디스플레이 공정에서 발생하는 유해 ... , 유지보수 서비스 수요 발생""반도체, 디스플레이, 태양광 등 다양한 공정에 적용 가능""경쟁사 : 독일 DAS, 영국 Edward, CSK, 일본 Ebara, 국내 유니셈""특히 ... , 중국 고객사 특정 공정에서 점유율 1위 차지""동사 매출 중, 중국사향 비중이 조만간 두자릿수로 높아질 가능성 존재"당사는 국내 반도체 Scrubber 시장점유율 2위상반기

  리포트 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.03

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  [분석화학실험]FT-IR Spectroscopy - Acetatic acid와 Acetic Anhydride 분석

  파수(`ν)는㎝ ^{-1}로 표시하며, ㎝로 표시되는 파장(λ)의 역수로 계산된다. 즉,`ν (㎝ ^{-1}) = 1 / λ(㎝)ν (Hz) = `νc = c(㎝/sec) / λ ... 되고 있으며, 의약품, Synthetic Resin, Plastic, Rubber, Paint, Cosmetic, 반도체 등 화합물의 정성 및 정량 분석이 가능하고, PE, PP ... , Chloroform 및 Carbon Disulfide인데 독성에 주의해야 한다.3) 스펙트럼 분석방법진동형태파수(bold{㎝ ^{-1})세기C-HAlkane(신축)3000~2850s-CH_3(굽

  리포트 | 14페이지 | 4,500원 | 등록일 2023.02.03

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  Synthesis of Red CdSe and ZnCds QDs_예비레포트(A+)

  . 반도체 퀀텀닷은 전자가 conductance band에서 valence band로 전이되며 그 에너지 차이만큼의 에너지를 빛으로 방출한다. 그 에너지는 E = hc/(파장)이 ... , Schlenk line, Metal join clamp, Vortex mixer. Reflux condenser, Clap, thermometer adapter, 3-way s ... topcock adapter, and rubber septum, Temperature controller, Hot plate, Heating mantle실험 과정[Se stock (Se

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.12

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  무기화학실험 Preparation of Perovskite Nanocrystals 결과보고서

  . 이처럼 exciton의 평균 거리보다 반도체 크기가 작거나 비슷하여 갇혀버린 물질을 Q.D라 부르게 되는 것이다.Quantum confinement effect위에 설명된 Q.D ... 의 원리는 반도체, exciton, 작은 공간에 갇힌 입자의 3가지로 설명된다. 이들은 각각 band gap energy, bound exciton energy, c ... ), 크기가 작아지면 방출되는 빛의 파장이 짧아지는 현상 (Blue shift)을 관찰할 수 있다. 이렇듯 입자 크기에 따라 에너지 레벨이 변화하는 현상을 Quantum c

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.07.15

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  LG,삼성,외국계대기업합격한 어마한 PT자기소개서, 경력기술서 입니다 . 이거 하나면 끝입니다. 잘 참고 하시면됩니다.

  ) Customer 공정 issue 개선 진행 3) 신규 공법 개발 장비 평가 진행진행 Project 개선 사항( 반도체/LED 공정 )1) 반도체 300mm dryer/Wet s ... )◈ 진행 Project 개선 사항 ( 반도체 공정 ) 1) 반도체 300mm Single Cleaning Set up (SK Hynix 向) _ ( 공정 안정성 확보 )  set ... ) Anodic Bonding 개선 ⓐ Graphite 사용 : 전기 전도도 개선 ⓑ Bonding dummy wafer 제거 방법 개선 : Wafer scratch 감소 (3) 신규 공법

  자기소개서 | 15페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.03.22 | 수정일 2023.02.09

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  화공계측실험Pre-Report (10)-Photolithography

  고, 공정 환경이 극도로 깨끗한 환경 이어야 한다. Photolithography의 과정은 다음과 같다. 첫 번째, 표면 위에 photo resist(PR)물질을 spin-c ... oating을 이용하여 발라준다. 이때 하나의 평평한 PR 층이 형성된다. Spin coating 은 일반적으로 1200~4800 rpm, 30~60 second 로 진행한다. 남아있 ... UV(220nm), >250mJ/cm2 조건 하에서 soluble 상태로 변한다. T-butyl benzoic acid를 첨가하면 UV 흡수가 증가하여 150mJ/cm2 조건

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.12

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  나노화학실험 QD(Quantum Dot) 예비보고서

  -전자회절 -> 결정구조 분석-영상분석 -> 미세구조 해석-화학분석 -> 화학성분 해석[9] 실험방법 : acetone으로 cleaning 한 rubber septa를 3-neck ... size – dependent dielectric constant[3] Quantum dots(QD)[3.1] QD : QD는 물질의 크기나 nm로 줄어들 경우 Quantum c ... 성도 10%이상 높아 LCD의 단점을 보완할 수 있다.[3.2] QD의 구조 : QD의 전체구조는 core+ shell+ capping layer이다.-Core : QD의 중심이 되

  리포트 | 8페이지 | 4,500원 | 등록일 2020.06.30 | 수정일 2020.07.05

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  [일반화학및실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 예비 + 결과 A+

  [일반화학및실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄실험목적- PDMS 고무를 이용하여 자기조립단분자막의 미세접촉 전사실험을 수행한다.실험이론PDMS (Poly dimethyl s ... iloxane)- 실리콘 고무 (silicone rubber), 유기규소화합물 중합체의 일종- 기본적으로 실리콘 – 산소 결합의 반복구조- 탄소-탄소 이중결합을 기본으로 하 ... + H2O (H3Si)2O +2 HBrH3Si : 모노브로모실레인(H3Si)2O : 다이실록세인- 화학식 : (C2H6OSi)12- 밀도 : 965kg/m3- 구조식 :미세접촉인쇄

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.23 | 수정일 2023.10.24

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  [일반화학및실험] PDMS 탱탱공 만들기 예비 + 결과 A+

  백과 : “중합”, “고무”- Hyperlink "http://www.scienceall.com" http://www.scienceall.com : “가교제”- Hyperlink ... 한다.가교제 (cross-linking agent)- 사슬 모양의 고분자 사슬 사이에서 가교제 역할을 하는 물질- 가교는 수지에 경도나 탄력성 등 기계적 강도와 화학적 안정성 부여한다. ... 힘에 의하여 변형을 일으킨 물체가 힘이 제거되었을 때원래의 모양으로 되돌아가려는 현상- 사용 예 : 고무, 스프링실리콘 고무 (silicone rubber)- 고중합도 곧은 사슬

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.18 | 수정일 2023.10.24

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  에폭시 수지의 합성 예비레포트

  [ 그림 3 ] 에폭시수지의 IR data 3057 cm ^{-1} : stretching of C-H of oxirane ring 2905-2873 cm ^{-1} : s ... tretching of C-H of CH _{2} and CH aromatic and alipatic 1608 cm ^{-1} : stretching of C=C of aromatic ... rings 1509 cm ^{-1} : stretching of C-C of aromatic 1036 cm ^{-1} : stretching C-O-C of ether 915 cm

  리포트 | 10페이지 | 8,000원 | 등록일 2024.09.27

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  Hydrogen Insertion into WO3 결과보고서

  - Glass capillary tubes, 1.5 x 100 mm (melting point size)- 18-Gauge copper wire- Ohmmeter, Rubber ... 전도도가 10-6Ω-1 ·cm-1와 같거나 작기 때문에 부도체 성질이 크다. W의 전자배치는 [Xe] 6s2 4f14 5d4 이며 주요산화상태는 W6+: [Xe] 4f14이다. W ... 하며) 반도체로서 역할을 한다. x가 커질수록 반도체에서 도체처럼 행동한다. band gap energy는 작아지며 긴 파장의 빛을 흡수한다. WO3가 HxWO3로 될 때 전도도

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.02.16

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  [무기화학 실험] Hydrogen Insertion into WO3

  tubes, 1.5 * 100 nm (melting point size), 18-gauge copper wire Ohmmeter Rubber band?Ⅴ. 실험 방법1. 0.5 g ... 다. 전자가 conduction band로 들뜰 수 있기 때문에(가시광선의 특정 에너지를 흡수하며)반도체(Semiconductor)로서 역할을 한다.x가 커질수록 반도체에서 도체 ... 은 전도성 고분자가 있다.Ⅳ. 기구 및 시약Filter paper, Buchner funnel, suction flask, water aspirator, Glass capillary

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.05

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  Hydrogen Insertion into WO3 예비

  또는 무질서로 인해 결정 결함이 된다.? x값이 계속 작아지면 전단면의 정렬 및 전단면의 사이는 corner sharing으로 연결된다.■ 수화물? WO3 · nH2O 또는 텅스텐 ... 분자를 포함하는 WO5(OH)2 층들의 corner sharing으로 만들어진 층상 구조(layered structure) 사이에 다른 물 분자가 위치하는 구조이다.? WO3 ... · H2O(monohydrate)는 WO5(OH)2 유닛의 corner sharing으로 매우 무질서하게 배열하는 구조이다.? WO3 · 0.5H2O(hemihydrate)는 c

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.01.02

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  [무기화학 실험] 고체전해질 (A Solid Electrolyte, Cu2HgI4)

  로 들어가는 협동 메커니즘이다.-쇼트키 결함(schottky defect)이온결정이 반대 전하를 가진 두 이온을 잃어버리게 되어 양이온과 음이온 2중 공공이 형성되는 것이다. 이때 ... 고 ordered tetragonal structure였던 Cu2HgI4는 disordered cubic structure로 상전이가 된다. Transition Temperature ... ? Ohmmeter? Rubber band? Solid-state Model KiⅤ. 실험 방법Cu2HgI4의 합성※주의 : 이번 실험에서 사용하는 시약들은(특히 수은 화합물) 유독

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.04

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  화학공정실험2 접착제의 합성 예비보고서

  )접착이란 두 물질간의 물리적 혹은 화학적 친화력에 의해 결합되는 현상이며 결합된 두 물체의 상호작용력은 접착강도로 상대평가될 수 있다. 반도체 Package의 조립에 사용되고 있 ... , 플라스틱등과 같은 물질과의 접착에 많이 이용된다.3.1.1 합성접착제의 종류접착제로 사용되는 기질 고분자 화합물은 성분에 따라 고무계(rubber type), 실리콘계(silicon ... 하며 일종의 creep 특성이다. 일반적으로 고분자는 분자량이 클수록 사슬간의 분자간격에 의해 큰 강도를 가지는데, 접착제의 경우 역시 분자량이 클수록 큰 유지력을 보이며 유리전이온도

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.14

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  환경청정공학 반도체 청정생산기술 발표자료

  .alibaba.com/product-gs/gas-scrubber-625988999.html 가스 스크러버환경청정공 학 반도체 청정 생산 기술 기존 배기가스 처리 구분 Wet ... 산업발전 전략 【 논문 】 반도체공장의 불산폐수 재이용 공정 기술 개발 【 논문 】 균일한 입도분포를 가진 큰 입자로 구성된 친환경적인 반도체 연마제용 colloidal s ... crubbing 물리 흡착 화학 흡착 Oxidation Water scrubbing 장점 장비 가격 저렴 수용성 가스 대용량 적합 운전 비용 저렴 높은 처리효율 낮은 에너지 사용량

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.03.07

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  Type별 Scrubber 원리 및 반도체 공정,반도체 Gas 특성

  Type별 Scrubber 원리 및 반도체 공정, 반도체 Gas 특성Scrubber란?공정 장비들로부터 발생되는 여러 종류의 유해 배기 Gas들을 적정 기준치 이하로 처리 ... 함처 리 원 리처리효율이 높고 대부분의 가스 처리가 가능 하나 완전한 상용화까지는 아직 연구가 필요 함장＊단점반도체 공정 순서도모래로부터 고순도 단결정 실리콘 웨이퍼를 만들어내 ... 정후 공 정반도체 공정 I공정 순서공정 방법단결정 성장고순도로 정제된 실리콘용 용액에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장 시킴규소봉 절단성장

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.02.26

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  치과) 치위생과) 치위생사) 치면열구전색에 관하여

  의 thomas fletcher 가 개발 하였다 . 1900 년대의 대표적 전치부 수복에 사용된 silicate cement 와 같이 불소를 방출하는 재료 주변의 이차우식 정도와 빈도 ... ) 5. 연마제 ( 글리세린 미포함 ) 6. 코튼 롤 (cotton roll) 또는 러버댐 (rubber dam) 세트 7. 건조기 8. 광중합기 9. 전색재 세트 10. 교합지 및 ... 시키는 방법을 기술 하였다 . 1970 년대 Buonocore 은 레진 전색재의 첫 성공 사례로 Bis -GMA 전색재를 발표 1972 년 Nuva -seal 은 1972 년 소개

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.27

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  scrubber의 종류와 특징

  Scrubber 의 종류와 특징contentScrubber란Scrubber의 종류반도체 공정에 사용되는 가스의 종류Burn – wet scrubber의 구조설명Burn – wet ... scrubber의 가스처리Scrubber 란 ??공정 장비들로부터 발생되는 여러 종류의 Waste Gas들을 적정 기준치 이하로 처리하여 배출시키는 장치Type별로는 Wet ... 움으로써 최대 온도 (1700~1900℃)에서 Hydride계열의 Gas 및 PFCs를 처리하고, 후단의 Wet Scrubbing을 거쳐 수용성 Gas를 처리함처 리 원 리기존의 sc

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.21 | 수정일 2020.11.03

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