"웨이퍼" 검색결과 41-60 / 3,912건

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  클린룸 환경에서 가열되는 회전 반도체 웨이퍼로의 입자침착 수치해석 (Numerical Analysis on Particle Deposition onto a Heated Rotating Semiconductor Wafer in Clean Room Environment)

  한국실내환경학회 송근수, 유경훈, 이건형

  논문 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  계면 활성제 첨가한 암모니아수의 소수성 실리콘 웨이퍼와의 반응 세정 효과

  한국재료학회 박진우, 박진구, 김기섭, 송형수

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Removal of Organic Wax and Particles on Final Polished Wafer by Ozonated DI Water

  한국재료학회 Yi, Jae-Hwan, Lee, Seung-Ho, Kim, Tae-Gon, Lee, Gun-Ho, Choi, Eun-Suck, Park, Jin-Goo

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  대면적화된 마이크로파 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 증착한 다결정 실리콘의 특성 연구

  한국재료학회 류근걸

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 Si3N4/InP의 접합특성

  한국재료학회 김선운, 신동석, 이정용, 최인훈

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  실리콘 웨이퍼에 패터닝 후 에칭과 P/N type 판정

  하에서 작동한다.실험방법웨이퍼 자르기 (Wafer cutting)다이아몬드 펜슬을 이용해 웨이퍼 가장자리에 스크래치를 낸다.스크래치 양 옆에 적당한 힘을 가해 웨이퍼를 자른다.(이때 ... 제목실리콘 웨이퍼에 패터닝 후 에칭과 P/N type 판정실험목적실리콘을 이용하여 반도체 제조 공정의 기본인 리소그래피와 에칭을 한다.이론적 배경리소그래피 방법웨이퍼 세척웨이퍼 ... 표면의 입자 문제뿐만 아니라 유기물, 이온, 금속 불순물의 오염을 막기 위해 화학적으로 세척을 한다. 웨이퍼 표면에 형성되는 산화막을 제거하기 위해 HF용액을 사용한다.장벽 형성

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.18

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  화학적으로 표면 개질한 실리콘 웨이퍼 표면에 절단한 단일벽 탄소 나노튜브의 배열에 관한 연구

  한국화상학회 김성훈, Nanjundan Ashok Kumar, 김지영, 이태훈, 정연태

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29

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  Wafer Bonding

  W/F Bonding 2009 年 2 月 3 日 ( 火 )1. Before Process W/F Bonder( ast Tbon-100) Log-in : ID-KANC, PW-KANC W/F 장착2.Process 상부 Press Down ( ☞ ) Condition Se..

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.02.05

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  silicon wafer 박막형성

  재료실험2 금속Scuttering 법을 이용한 Silicon wafer 표면의 Al-Cu(0.5wt%)-Si(1wt%) 박막형성과 저항 측정2010. 6. 14.1. Intro. ... 에 따라서 deposition 되는 알루미늄의 내부구조가 달라질 수 있다.⑥ 충분한 양의 알루미늄이 wafer 위에 축적되면 박막을 얻을 수 있다. 이 때 wafer을 축적되는 알루미늄 ... 에서 pattern을 만든다. (먼지 혹은 불순물은 재료에 큰 손실을 주게 된다. 그러므로 수시로 물과 기체를 분사하여 wafer을 청결하게 유지한다.) pattern을 형성하기 위해 우선 PR

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.07.06

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  Effect of Post-CMP Cleaning On Electrochemical Characteristics of Cu and Ti in Patterned Wafer

  한국재료학회 Noh, Kyung-Min, Kim, Eun-Kyung, Lee, Yong-Keun, Sung, Yun-Mo

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  습식 식각에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면 및 전기적 특성변화(2) - 표면거칠기와 전기적 특성의 상관관계 -

  한국재료학회 김준우, 강동수, 이현용, 이상현, 고성우, 노재승

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [A+] Nano MEMS 공학개론 실리콘 웨이퍼 과제

  의 Wafer는 [N-type], [P-type] 과 결정성장 방향에 따른 [1 0 0] 및 [1 1 1] 웨이퍼로 구분된다. 이 때 이 4가지 웨이퍼를 구분하는 방법을 3가지 단계 ... 에 Wafer의 제작 시 이러한 특성을 구분하기 위해 [Flat zone]으로 표현한다.3. 웨이퍼의 구분 방법웨이퍼가 N-type 인지 P-type인지, 결정 구조가 [1 0 0] 인지 ... [1 1 1]인지는 제작된 웨이퍼의 [Flat zone]으로 확인할 수 있다.◎ Flat zone이란?Wafer 결정 구조는 눈으로 식별이 불가능하기 때문에 Wafer의 구조

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.20

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  웨이퍼 프로세스를 구성하는 기술

  1(a) Make a table comparing the areas of wafers with the following diameters :25, 50, 75, 100, 125 ... 450mm wafer?(c) How many 25mm × 25mm dice?공식:Dies per wafer =2. Wafer process 기술을 구성하는 요소wafer ... .1) 확산 (diffusion)웨이퍼 표면에 열에너지를 이용하여 불순물 원자를 표면 내로 주입시켜서 불순물 층이 형성되도록 하는 공정을 확산 (diffusion) 이라고 한다.2

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25

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  반도체 웨이퍼 전기적 특성 실험 보고서

  ..PAGE:1전기적 특성 실험(Hall effect)..PAGE:2목차설계 목적설계 이론설계 방법설계 결과결론 및 고찰..PAGE:3설계 목적n형 반도체 Si웨이퍼(단결정 ... 함을 보인다.설계 이론..PAGE:8설계 이론Impurity Dependence of Mobility..PAGE:9산화환경에서 SILICON WAFER에 (산화막) SiO2이 생성 ... -type, + for p-type)..PAGE:13설계 방법n-type SILICON WAFER 시편 (1CmX1Cm) 3EA 준비.시편 세척.500℃750℃1000℃ 열처리 후 어

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.07.21

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  습식 식각에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면 및 전기적 특성변화(1) - 불산 농도에 따른 표면형상 변화 -

  한국재료학회 김준우, 강동수, 이현용, 이상현, 고성우, 노재승

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Wafer Cleaning & oxidaton

  1.실험제목 : Wafer Cleaning & Thermal Oxidation2.실험목적미립자, 유기 잔여물, 무기 잔여물, 원하지않는 산화층을 제거하여 오염이없는 웨이퍼를 만들 ... 고 thermal CVD를 사용하여 원하는두께의 SiO2층을 만든다.3.실험이론WAFER CLEANING예전에는 CHEMICAL용액을 이용하는 공정은 막질을 ETCH하는 목적 ... 으로 주로 적용되어 왔습니다.그러나 DEVICE의 고집적화와 DESIGN RULE(회로선폭)의 HALF MICRON(0.5㎜) 세대가 출현함에 따라 각 PROCESS 중 WAFER 표면

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.26

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  웨이퍼 제조 공정, 반도체 제조 공정, 반도체

  , 케미컬, 개스, 전기)등으로 만듭니다.반도체 3대 원재료: 웨이퍼, 마스크, 리드프레임① 웨이퍼 (wafer) : 반도체물질로 만들어진 얇고 둥근 조각. 이 위에 집적회로를 만들 ... 제목 : 마이크로컴퓨터RePort과목학과학번이름제출날짜담당교수목차1. 반도체란?2.웨이퍼 제조 공정3.반도체 제조 공정1. 반도체란?순수한 반도체는 부도체나 마찬가지입니다.즉 ... 어 넣게 됩니다.?현재실리콘웨이퍼를 많이 사용하고 있으며, 직경크기에 다라 4", 5", 6",?8", 12"를 사용하고 있습니다.② 마스크(mask) : 웨이퍼 위에 만들어질

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.09 | 수정일 2019.03.28

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  실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr 증착, photolithography, Cr 식각 실험

  2014-2학기 광·전자화공소재실험결과보고서실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr 증착, photolithography, Cr 식각소속 : 응용화학공학부 광ㆍ전자화공소재전공분반-조-조원 ... 물질의 반응성이 증가하고 오염물질이 물에 녹는 용해도를 증가시켜 세정이 빨리 이루어지게 한다. 그러나 웨이퍼 표면에 금속 복합 물질의 도금작용을 증가시킬 수도 있어 주의해야 한다 ... . 두 번째로 흡착성이다. 세정 용액이 웨이퍼 표면에 잘 흡착 되어야 세정 작용이 일어날 수 있다. 따라서 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태는 세정 효과의 향상을 위하여 고려

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.04.26

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  반도체 제조공정 및 동향 [ex)웨이퍼,식각,금속배선,EDS,]

  게 발전하였다. 플래너 기술이란 웨이퍼라고 하는 평평한 반도체판 표면에 트랜지스터 등이 소자를 새겨 넣는 것을 말한다. 이 집적회로 기술에는 사진기술이 밀접하게 연관되어 있다. 인화 ... 지에 해당하는 웨이퍼 위에 필름 역할을 하는 마스크를 놓고 빛대신 자외선을 쬐어 아주 정밀하고 복잡한 회로르 새겨 넣는 것이다. 이러한 집적회로는 정보의 저장과 연산 등의 역할 ... 을 한다.2. 반도체의 제조반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종완제품까지 크게 4가지 공정으로 구별할수 있다. 즉 silicon원석에서 웨이퍼를 제작하는 웨이퍼 제조공정, 제조

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.15 | 수정일 2021.05.20

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  다결정 실리콘 웨이퍼 표면 관찰

  ※ 실리콘 웨이퍼오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 ... 1. 실험제목다결정 실리콘 웨이퍼 표면관찰2. 실험일시 및 장소2009년 11월 30 월요일 6~7교시 201호, 307호3. 사용한 시약 및 실험기자재다결정 실리콘 웨이퍼 ... , 테프론비커/집게, BOE(Buffered Oxide Etchant), DI, 49%HF(Hydrogen Fluoride), CrO34. 실험목적실리콘 웨이퍼를 표면 처리

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.25

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