반도체 기초 및 논리회로

소개글

반도체의 기초부터 PN 접합, 트랜지스터를 포함하여 CMOS를 이용한 논리 게이트 구성 및 회로도, 관련 설명이 있습니다.

목차

1. 반도체의 정의

2. P형 반도체와 N형 반도체

3. PN 접합

4. 트랜지스터 - BJT, FET

5. 논리회로 - NOT, NAND, NOR, AND, OR GATE

본문내용

1. 반도체의 정의
- 물체는 전기전도도에 따라 실온에서 10-3Ω·㎝ 이하의 저항을 가지는 물체를 도체, 1010Ω·㎝ 이상의 저항을 가지는 물체를 부도체, 도체와 부도체의 사이인 10-3Ω·㎝ ~ 1010Ω·㎝의 저항을 가지는 물체를 반도체라고 정의하지만 불순물 및 기타 첨가물의 주입 등에 의해 전기 전도도의 차이를 나타내며 반도체의 저항값의 범위가 엄격하지는 않으며 순수한 물질은 전류가 흐르지 않지만 불순물 등을 주입하여 전도도를 변화시킬 수 있는 물체를 반도체라고 정의하기도 한다.

주기율표 14족에 속하는, 최외곽 전자가 4개인 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 등이 대표적인 반도체이며
순수한 물질인 Si, Ge 등을 진성 반도체, 화합물 형태인 SiGe, GaAs, InSb, InP, AlGaAs, CdS, GaN 등을 화합물 반도체라고 한다.
가격이 저렴하고 구하기 쉬우며 열 전도도가 높기 때문에 Si 반도체가 주로 사용되지만,
Si 반도체는 상대적으로 높은 에너지를 필요로 하기 때문에 낮은 에너지로 구동시킬 때는 Ge 등을 사용하기도 한다.

참고 자료

없음