"high-k" 검색결과 1-20 / 6,679건

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  High-k report

  를 가져다준다. Poly Si/high-k stacks의 적용은 Vth controllability, poor reliability, dopant penetration, and ... (pISSN), 김기범, 차국헌, 김재성, 주영창- High-k 게이트 절연물질의 전기적 특성: 도전과 현 문제점 및 해결책, RESEAT, 2007-04-03, 김정수- The Hmmy ... High-ĸREPORT1. IntroductionHigh-ĸ material은 SiO2에 비해 유전율이 높은 물질을 말하며, ĸ(dielectric constant)는 유전상수

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체공정 레포트 - High-k

  1. Memory ICsMemory IC는 정보를 담거나 기억할 수 있는 반도체 제품이다. 이러한 Memory IC는 Volatile type과 Non-volatile type ... 와는 달리 Non-volatile(비휘발성) type은 전원/전압의 공급이 멈추더라도 Data가 그대로 유지된다.그중 Volatile memory는 RAM(Random Access ... 했듯이 Volatile memory에 속하며, 아래의 그림과 같이 기본적으로 Transistor 1개와 Capacitor 1개로 구성되는데, 이는 1T-1C로 표현하기도 한다. 이때

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.11 | 수정일 2024.06.19

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  High-k dielectrics목차High-k dielectrics 이란Dram capacitorMOSFET gate oxide주의점 및 요구조건High-k ... dielectrics 이란High-k dielectric은 집적회로를 구성하는 MOSFET, FINFET 등의 transistor에 사용되는 물질 중 하나이다. 절연체가 전기장 내에 놓이게 되 ... (ε0)의 비율을 말한다.[사진2] Dielectric constant k일반적으로 High-k dielectric은 집적회로의 dielectric으로 주로 사용되었던 SiO2

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 03월 14일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야: High ... 하는 게이트 누설이 증가하여 소자 동작에 좋지 않은 영향을 준다. 따라서 게이트 산화물에서 누설전류를 감소시키며, 채널 형성을 잘 시키기 위해서 High-K 물질을 이용한다. High-K ... 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1]현재 개발된 High-K 물질로는 등과 같이 유전 상수가 약 20~30인 물질들이 있

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 예비레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 04월 11일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• 산화물 반도체의 정의, 장단점 및 활용 가능한 영역산화물 ... 에 가시광선의 흡수가 거의 일어나지 않아 투명 소자 제작이 가능하다. 하지만 뛰어난 성능을 갖지만, LTPS에 비해 낮은 이동도를 갖고, P-type을 구현하기 어려우며 신뢰 ... 성이 떨어지는 것이 단점이다. [2]그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1. a-Si:H, LTPS, 산화물의 특성 비교 [2]기존 디스플레이 제품은 주로 비정질 Si을 이용해서 구현했다. 하지만 이러한 비정질 Si 기반 소자는 dangling bond로 인한 낮은 전자 이동도(

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  GAAFET발표자료(대본포함),게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향)

  : PPA(High- P erformance, Low- P ower, Small- A rea)12 FinFET vs GAAFET FinFET (Fin Field Effect ... 2022. 11. 30 1 Gate-All-Around Field Effect Transistor (GAAFET)Contents Introduction Short Channel ... would double every two years”Short Channel Effect6 Short Channel Effect V T Roll-Off Drain-Induced

  리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.03 | 수정일 2022.12.14

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  TGV-K의 제동함수를 고려한 고속철도 교량으 동적거동 (Dynamic Behavior of Bridges for High-Speed Train Considering Braking Function of TGV-K)

  한국지진공학회 곽종원

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  [프레젠테이션]high-k gate oxide

  High-K dielectic material김기주이LOGOContents이론적 소개1제조방법/ 제조기업2시장현황3향후 전망4이론적 소개MOSFET제조방법/ 제조기업※현재 실제로 ... - High-K material의 사용은 꼭 필요함www.themegallery.comClick to edit company slogan .www.themegallery.com{nameOfApplication=Show} ... 에서의 반도체산업의 비중을 생각한다면 세계 경제회복 이후 반도체산업이 위상은 여전 할 것Click to edit company slogan .Scale down은 지속적인 과제

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.09.04

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  [high-k oxide] The interface between silicon and a high-k oxide

  Ceramic thin film LabChangwon National UniversityThe interface between silicon and a high-k ... UniversitySiO2 : 유전율 부족 High-k oxide : 다른 성질들 유지 어려움 처음 도입된 고유전 산화물: amorphous oxides, SiO2 layer을 가진 ... 이면 누설전류가 예상된다. 대부분의 high-k oxides 는 injection barrier가 매우 낮다. Silicon substrate의 Conduction band

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.13

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  - Inversion (Strong/Weak)II. High-k 물질 도입에 대한 배경- Moore의 법칙과 Device Scaling Down- High-k material 선택 및 ... - Gate-Last Integration SchemeIII. High-k 물질을 포함한 MOS Capacitor 설계 과정- 서론- Body Substrate Doping ... Scattering (RPS)High-k material들은 주로 Metal과 Oxide, 즉 M-O결합으로 구성됩니다. 이러한 High-k material의 ionicity

  리포트 | 50페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  [합격자소서] 어플라이드 머트리얼즈 AMK CE 자기소개서

  고 있었습니다. 이를 기존 Poly-Si/SiO2 대신 Metal/HIgh-K 구조를 선정하여 해결하고자 했습니다.High-K 소재는 Al2O3/HfSiO4/HfO2, Metal ... 소재를 선정했습니다.하지만 Metal/High-K 는 상대적으로 낮아진 blocking oxide의 장벽으로 인해 retention 특성이 저하 된 것을 시뮬레이션 데이터를 통해

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.29

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  전자및에너지재료공학 기말 보고서

  하게 되고 이에 따라 문턱전압이 다시 높아짐, 때문에 폴리 실리콘 대신 금속 계열 사용, 이때 게이트 옥사이드의 물질은 절연성이 더 높은 High-k 로 사용함 ... 성분을 낮추어 동작속도를 빠르게 하기 위해 도핑함High K Metal : 트렌지스터의 크기가 축소되면서 게이트 옥사이드 두께가 얇아지고 게이트 층의 도핑된 농도가 채널로 이동

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  한양대 신소재공학부 반도체공정 특허발표자료

  - 유전막 두께를 얇게 하거나, high k 재료를 유전막으로 이용하는 방법 등이 있음 - 하지만 유전만 두께 얇게 하면 leakage current 증가(한계가 있음), high k ... 을 deposition증착해야 함La2O3는 유전율이 27, 1000K에서도 실리콘과 열적 안정성을 가지기 때문에 금속 산화물 유전막 재료로 사용되고 있음 - 지금까지는 증발이나 CVD ... 출원인: 삼성전자주식회사 출원일자:2003.04.22. 발명자: 박기연 외 5명출원번호:10-2003-0025533반도체 소자 집적도 증가 - 단위면적당 큰 커패시턴스 요구

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.02 | 수정일 2020.03.21

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  고려대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

  에지 거칠기에 대한 이중 패터닝 및 이중 에칭의 영향 연구, Rayleigh 분포를 이용한 high-k/metal-gate 일함수 변화에 관한 연구 연구, 2차원 광학 장치의 역설 ... , 효과적인 임계값 Steep-Slope 2D Atomic Threshold Switching Field-Effect Transistor를 위한 전압 변조 기술 연구, 2차원 환원 ... , 저항성 스위칭 멤리스터를 위한 우수한 열적 안정성을 갖는 활성층 질소 도핑 기술 연구, 22nm 노드에서 6T SRAM 셀에 대한 FD-SOI 기술의 성능 및 면적 확장 이점 분석

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

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  반도체공정 Report-4

  octric constant를 가져 현재도 많은 부분에 사용되고 있다. 하지만 high-k물질이라고 장점만 가지는 것은 아니다. 대체적으로 dielectric constant가 높 ... 에 carrier가 trap되면 threshold voltage가 변하는 등의 문제가 발생한다. 이런 문제들 때문에 gate insulator로 high-k 물질의 single layer ... 문제를 가져온다. 그 중 하나로 우선 threshold voltage roll-off현상이 있다. N-MOSFET에서 source와 drain은 substrate와 p-n

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11 | 수정일 2021.04.13

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  인하대 반도체소자 기말고사 족보

  음 ) , C.i 늘리기 ( C.i = dielectric constant / d 이므로 두께를 줄이면 c.i 커지는데 한계 존재- 전류 누설될 수 있음 -> 그래서 high ... dielectric constant , 즉 high k 물질을 보통 이용하게된다 ) V (th)줄이기 ( V.gate 는 고정되어 우리가 가해주는 전압일뿐 ..V.(th) 줄이는 방법 ... 반도체소자 2017-1 기말빈칸 동그라미 치기 or 빈칸 넣기 유형이었음 ( 농도를 높이면 V(FB) 커지는가 작아지는가 ,혹은 V(TH) 커지는가 작아지는가 등등

  시험자료 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.27

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  고체물리학 A+ 정리노트 (필기노트,기출문제, 95p)

  +1/2) 이 된다. 이걸 T로 미분하면 heat capacity가 되고, 이건 high T에서는 3Nk_B , low T 에서는 exp(-hw/kT)B. 아인슈타인은 T ... collective motion하고 이때 mode가 존재한다. 이 모드는 periodic boundary condition에 의해 양자화 되어있고(k가) 에너지는 3*L/2pi^3 ... * integral ~가 된다.D. 여기서 dk를 4 pi k^2으로 바꿔주고, k = w/v로 바꿔주고 여기서 g(w)를 기타 지저분한 상수를 묶어서 정의해주고 그걸 디바이 frequency로 해서 g(w)는 N 9w^2/w_d^3 가 된다. (w_d = 6pi^2 n v^2)

  노하우 | 95페이지 | 10,000원 | 등록일 2024.09.01

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  고등학교 교육 탬플릿

  High School Education EDUCATIONHigh School Education EDUCATION INTERMEDIATE LEVEL UPPER ... INTERMEDIATE LEVEL JANUARY, 2024Write your section here HIGH SCHOOL SECTION 9High School INTRODUCTIONWhat Do We ... Will Learn in High School? INTERMEDIATE LEVEL UPPER INTERMEDIATE LEVELChoose Your Master Subject Li

  ppt테마 | 31페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.17

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  LG화학_합격 자기소개서 (전지사업본부/LG에너지솔루션))

  Charge Trapping Characteristics of High- k Laminated Traps”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 40, 1427 ... 시킴으로써 전력효율 극대화2. 반도체 최적화를 위한 High Pressure Annealing- High Pressure을 통해 비교적 낮은 온도에서 어닐링- H의 침투로 인한 Oxide ... TFT용 요소기술 개발4. TFT특성 개선을 위한 High-pressure annealingHPA 장비 개발5. 차량용 반도체의 신뢰성 평가기술 및 failure mechanism

  자기소개서 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.01.02

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  [우주비행역학]과제3-Gravity-Turn Trajectories(최대도달고도 및 최대도달수평거리 구하기)

  )function mach = findmach(mach1, mach2, high1, high2, high)mach=(mach2-mach1)./(high2-high1).*(high-high1) ... +mach1;function rho = findrho(rho1, rho2, high1, high2, high)rho=(rho2-rho1)./(high2-high1).*(high ... REPORT제 목 : 우주비행역학 과제3Gravity-Turn Trajectories과 목 명 : 우주비행역학담당교수 : 0 0 0 교수님제 출 일 : 2014년 06월 23일

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.02

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