"SOI" 검색결과 1-20 / 320건

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  열처리 방법에 따른 SOI 기판의 스트레스변화

  한국재료학회 서태윤, 이상현, 송오성

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SOI 기술의 이해와 고찰: 소자 특성 및 공정, 웨이퍼 제조

  한국재료학회 최광수

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SOI 구조 이용한 결정질 규소 태양전지의 최적설계

  한국재료학회 이강민, 김영관

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Bonded SOI wafer의 top Si과 buried oxide layer의 결함에 대한 연구

  한국재료학회 김석구, 백운규, 박재근

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  0.1 μm SOI-MOSFET의 적정 채널도핑농도에 관한 시뮬레이션 연구

  한국재료학회 최광수

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SoI-Gel법에 의한 Pb(Zr, Ti)O3박막의 강유전체 특성

  한국재료학회 고가연, 이은구, 박진성, 이종국, 이우선, 이재갑

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SOI 프로그램이 아동의 지능 및 사고력 개발에 미치는 영향 (A Study on the Effects of Structure of Intellect(SOI) Program on the Intelligence and Thinking Abilities)

  한국영재학회 이기우

  논문 | 26페이지 | 5,500원 | 등록일 2015.03.25 | 수정일 2017.02.01

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  사점굽힘시험법을 이용한 이종절연막 (Si/SiO2||Si3N4/Si) SOI 기판쌍의 접합강도 연구

  한국재료학회 이상현, 송오성

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  1. SOI 기판 제작방법1-1. 정의 및 발전 과정SOI 구조는 좁은 의미로서는 실리콘 웨이퍼 기판 위에 절연막으로서 실리콘 산화막이 성장되어 있고, 이 위에 단결정 실리콘 ... 은 정전용량 성분을 가능한 줄이고, 소자의 전기적 절연을 완벽하게 하고자 하는 시도에서비롯되었다.그림 1. 실리콘 기판과 SOI 기판과의 구조 비교이러한 SOI 기술은 1960 년 ... 이 시도되고, 이를 통하여 간단한 소자들에 제조되어 왔으며, 기술적 경쟁 과정을 통하여 선택된 기술들이 현재 SOI 구조의 제품화에 적용되고 있다.즉, 산소 이온 주입 후 열처리 과정

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구

  SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구Contents1. 연구 배경 및 중요성 2. 연구 목표 3. 연구 내용 및 방법 4. 인용문헌1-1 ... Effect해결책!! 도핑 두께를 줄이면, 면적에 비례하여 공핍층의 면적 또한 줄어든다. But 초 박막공정 으로 넘어가면 효과적으로 도핑두께를 조절하기 어렵다.1-3 SOI MOSFET ... -2 단기 연구 목적 - UNIX와 Medici 활용능력 습득. - SOI MOSFET 을 Simulate 할 수 있는 능력 배양3. 연구 내용 및 방법3-1 장비

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.29

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  [반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사

  Term paperInvestigation ofSOI(Silicon On Insulator)1. SOI란 무엇인가2. SOI의 개발역사3. SOI-MOS Capacitor의 동작 ... 특성4. SOI의 응용범위과 목 명금속-산화막-반도체 결합소자담당교수노 용 한소 속정 보 통 신 공 학 부전 공전자전기전공 학부 3학년이 름2002313352 이 귀 덕0. 들어가 ... 고, 전력소비도 커지게 된다.이를 위한 해결책으로 등장한 것이 바로 SOI이다.1. SOI(Silicon On Insulator)란 무엇인가?figure . (a) SOI-MOS

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

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  [반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사 (파워포인트)

  Tunneling에 의한 누설전류 발생 → High-k 유전물질, SET 등이 연구 2. 반도체 소자의 속도 저하 부하 캐패시턴스 발생Silicon On Insulator (SOI)부하 ... 가 끼여있는 형태(a) SOI-MOS capacitor structure and (b) capacitors model.일반적으로 Substrate층과 Insulator층 사이에 형성 ... 속도 한계 해결SOI의 개발역사Surrounding Gate Transistor (SGT)(a) Surrounding gate transistor(SGT) (b) sem image

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

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  차지펌프의 구조와 구동원리_SOI를 이용한 고전압 특성연구, dickson charge pump, ISO MOSFET

  3.3V supply 4MHz two phase clock signals Using 0.35um SOI CMOS for designTechnique to increase the ... efficiency of high voltage C.P.SOI MOSFET (silicon on insulator) 전계적으로 주위의 영향을 받지 안음 소수케리어에 의한 기생 캐페

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2015.01.28

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  구성주의수업이론(구성주의학습) 정의와 특징, 구성주의수업이론(구성주의학습) 학습관, 학습원리, 수업원리, 구성주의수업이론(구성주의학습) 실태와 활용 사례, 구성주의수업이론(구성주의학습) SOI모델과 시사점

  (구성주의학습)의 SOI모델과 시사점 분석Ⅰ. 개요Ⅱ. 구성주의수업이론(구성주의학습)의 정의Ⅲ. 구성주의수업이론(구성주의학습)의 특징Ⅳ. 구성주의수업이론(구성주의학습)의 학습관Ⅴ ... . 시뮬레이션 활용 학습환경 : “비타민과의 전쟁”3. 조교 교육프로그램Ⅷ. 구성주의수업이론(구성주의학습)의 SOI모델Ⅸ. 구성주의수업이론(구성주의학습)의 시사점참고문헌Ⅰ. 개요구성주의

  리포트 | 15페이지 | 6,500원 | 등록일 2011.03.30

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  Silicon on insulator

  Silicon on insulator (SOI)1. Introduction공정 기술이 발전함에 따라 반도체 소자는 scaling down이 일어나게 되었고, 100nm이하 ... 위해 새로운 소자 기술이 필요하게 되었고, silicon on insulator(SOI)를 통해 MOSFET은 물리적 한계를 극복하고, carrier mobility를 향상 ... 시킬 수 있었다.SOI 소자의 경우 source/drain과 substrate간의 junction이 없으므로 junction capacitance가 크게 주는 것을 알 수 있고, 아울러

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.11

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  인하대학교 집적회로공정(전자공학과) FINFET레포트

  으며 annealing을 통해 활성화시킬 수 있다. 이로 인해 FinFET이 형성된다.4. SOI FinFET 공정방법과 비교 및 논의Bulk FinFET과 SOI FinFET의 공정과정 ... 하는 점에서는 동일하다. 그러나 Bulk FinFET과 SOI FinFET의 공정과정에서 가장 큰 차이는 기판의 차이이다. 이로 인해 공정방법에서 차이가 발생한다. Bulk ... FinFET의 공정과정에서는 fin을 먼저 만들고 Source, Drain영역을 형성하기 위한 추가적인 공정이 필요하지만 SOI FinFET공정과정에서는 Fin을 식각할 때 Source

  리포트 | 5페이지 | 4,900원 | 등록일 2021.09.26

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  반도체공정기말대비

  는Si _{3} N _{4} 사이에 발생하는 기계적 응력들을 제거하기 위하여 중간층에 40~50nm 두께에 얇은SiO _{2} 패드를 사용한다.13. SOI 유전체 격리에서 단점 ... 아래의 실리콘이 전기적으로 절연되므로, 산화층 위의 실리콘에 소자를 만들면 SOI 구조가 된다.18. 패키징 중에서 가장 많이 사용되는 재료?- 플라스틱, 초자19. SMT

  시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.05.16

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  반도체 공정 레포트1- International technology roadmap for semiconductors, 2005 Edition, PIDS(process integration, devices, and structures)

  (선택적 에피) 및 첨단 어닐링 및 도핑 기법, 구조: 다중 게이트 구조로 따라와지는 초박형 차체(UTB) 완전 고갈(FD) SOI.4. D램과 SRAM을 32nm 기술 세대로 확장 ... ) SOI 또는 double-gate (DG) MOSFET를 시작하기 전, 혹은 planar bulk 또는 UTB FD MOSFET가 실제 스케일링의 한계에 도달한 시점 이상(추가 논의

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.15 | 수정일 2021.01.19

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  중등임용 교육학 목차 정리 및 마인드맵

  1. 학습자의 특성지능전통적 지능이론Spearman (g) 의 일반 요인설 11중등Thurstone (PMA) 의 다요인 설Guilford (SOI) 의 지능구조 모형

  리포트 | 31페이지 | 7,000원 | 등록일 2022.03.10

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  반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)

  적이지 않은 MOSFET, planner fully depleted SOI device, 수직적 형상을 띄는 어느 한 평면이 이중 혹은 다중 gate device 같은 새로운 대안 ... 이 리 작업에 필요한 제조 비용 및 수율 문제가 있다.웨이퍼의 유형 - 초기 재료로는 광택 처리된 CZ와 epitaxial 실리콘이 있고 최근에는 SOI도 많이 사용되지만 위 둘 ... 에 비하면 여전히 적다. SOI의 경우 개선된 고주파 논리 성능 및 감소된 소비전력뿐만 아니라 다중 gate 구조와 같은 향상된 장치성능에 의해 사용된다. 이런 몇 가지 과정들은 단순

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03

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