"도핑물질" 검색결과 161-180 / 1,307건

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  홀효과 실험 결과 보고서

  되었다.홀 전압의 크기는 전하 밀도에 의존하기 때문에, 반도체에서의 전압은 순수한 금속 도체에서보다 더 크다. 이 실험에서는 n-도핑 게르마늄 반도체를 사용한다. 또한 홀 전압의 크기 ... 에 의한 전기력(Fe)과 균형을 이룬다.홀 효과는 금속 또는 도핑된 반도체에서 전하 수송의 극히 작은 매개변수들을 결정하기 위한 연구의 중요한 실험적 방법이다.이 실험에서 홀 효과 ... 를 조사하기 위하여, 직사각형의 n-도핑 반도체 조각을 균일한 자기장 B의 영역에놓는다. 전류 I가 직사각형 샘플을 흐를 때, 홀 효과에 의한 전압(홀 전압)이 자기장 B와 전류 I

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.02.01 | 수정일 2024.02.06

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  [평가계획서][요청자료] 고등학교 융합과학 교과 교수학습계획 및 평가계획서 예시입니다. 유용하게 사용하시길 바랍니다.

  반도체의 도핑과 반도체 소자의 전기적 특성을 이해하고, 이러한 특성이 다이오드와 트랜지스터, 고집적 메모리 등의 구조에 활용되는 사례를 설명하기고분자 물질의 구조와 이에 따른 특성 ... -07] 지구의 자기장과 이온층의 형성 원인을 지구의 내부 물질과 지구의 자전과 관련지어 설명할 수 있다.미행성이 모여 원시 지구가 형성되는 과정과 지구계를 구성하는 각 권의 형성 ... .생명의 진화1.생명의 탄생(1)생명체를 이루는 물질(2)화학적 변화(3)원시 세포의 탄생[12융과03-01] 원시 바다에서 화학적 진화를 통해 간단한 화합물로부터 단백질과 같

  리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.05.16

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  한양대학교 일반대학원 화학공학과 학업계획서

  향상 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 TiO2 박막용 이종리간드 티타늄 MOCVD 전구체의 합성 및 특성 규명 연구, Fe/N/S 도핑된 메조다공성 탄소 나노구조물을 산성 매질 ... , 활성 및 다기능 식품 포장 분야의 최근 발전 연구, 식수 처리에서 TiO2 광촉매 분리를 위한 한외여과막의 사용 연구, 무세포 시스템을 사용한 바이오 기반 물질의 프로그래밍 가능

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.08

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  전기전자공학과 대학원 면접문제답변

  에서 확산 공정과 이온 주입 공정은 도핑을 통해 반도체의 전기적 특성을 조절하는 두 가지 기본 방법입니다. 확산 공정은 고온에서 도핑 물질을 반도체 표면에 놓고, 도핑 물질이 반도체

  자기소개서 | 26페이지 | 9,000원 | 등록일 2024.08.07

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  신소재프로젝트3 광전자 A+ 예비레포트

  REPORTⅠ. 박막 태양전지(구조, 각 층의 역할)박막 태양 전지는 실리콘 웨이퍼 대신 값싼 유리, 플라스틱 또는 금속과 같은 기판 상에 하나 이상의 얇은 층 또는 광전지 물질 ... -2 μm, 버퍼층으로 사용되는 CdS층이 50-100 nm, 윈도우층으로는 도핑되지 않은 ZnO층이 약 50 nm, 알루미늄 도핑된 ZnO 또는 붕소 도핑된 ZnO 투명전극

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07

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  포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 신소재공학과 연구계획서

  분석용 상용표준물질 개발에 관한 연구, Li-O2 배터리용 고효율 전기촉매로서 메조다공성 탄소층 금속 산화물의 다층 하이브리드 나노시트 연구, 중간 온도 범위에서 발전을 위한 저농도 ... 로 Pb 도핑된 Sb2Te3 다결정 합금의 향상된 열전 성능 연구, 다공성 양극재 기하학적 구조의 리튬 이온 전지 퇴화에 미치는 영향 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 빠른

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.09.04

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  CNT 분산 및 제조 리포트

  적으로 Macroscopic Fibers of Well-Aligned Carbon Nanotubes by Wet Spinning 논문에서 질소를 도핑한 CNT가 배향성이 더욱 좋고 높은 packing ... 밀도를 가져서 물성이 뛰어나다고 하여, 실험방법에 질소 도핑과정을 추가해주었다. 이를 통해 좀 더 뛰어난 물성을 가진 CNT를 기대해본다.5)참고문헌Macroscopic ... 주는 금속물질을 배치하고 탄소화합물을 기체상태로 금속물질에 뿌려주면 금속물질과 촉매반응을 한다. VLS반응에서 catalyst support는 휘발성 탄소 화합물의 분해를 위한

  리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.11.03

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  반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)

  웨이퍼 기판의 단위 및 집정공정 그리고 접촉 silicidation 공정 을 통한 확장을 포함한다. 특히 초기재료, 표면 준비, 열/박막, 도핑 및 FEP 플라즈마 식각, 스택 및 ... 으로 나온 CMOS에 대비하여야 한다.이 문제는 MOSFET gate stack 보다 더 시급한 문제라고 할 수 있다. 여기서 더 높은 유전율을 갖는 새로운 gate 유전체 물질 ... 루제어하는 high-k 게이트 유전체 및 gate stack층의 실질적인 Scaling을 제한하는 도핑된 Poly-Si의 공핍 효과를 제거하기 위한 금속 게이트가 있다. 그러나

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03

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  MOSFET 기본특성

  '의 약자로서 동작 원리를 나타낸다.[그림 8-1(a)]와 같이 바디는 p형 기판, 소오스와 드레인 영역은 n+로 도핑을 한 MOSPET 구조를 'NMOS'라고 한다. 마찬가지로 바디 ... 는 n형 기판, 소오스와 드레인은 p+로 도핑항 MOSFET 구조를 ‘PMOS'라고 한다.[그림 8-1(b)]는 NMOS의 단면도이다. 소오스와 드레인은 N형으로 도핑되어 있 ... 쪽 그림과 같이 게이트에 (-) 전압을 인가하면, P 물질의 정공들이 게이트 밑 부분으로 끌려오게 된다. 그러면 게이트 밑 부분에는 정공들에 의해 P물질이 확장되어 N 영역과 연결

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.01

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  고려아연(주) 생산관리직 합격자소서

  하고 있습니다. 프로젝트의 목표는 A 물질을 B 물질과 반응시켜 C 물질로의 전환율 향상이었습니다.CSTR, PBR과 같은 연속 반응기를 사용했기에, 24시간 가동을 해야 했 ... 도핑이 성능 향상에 미치는지 연구했습니다.초기에는 LaFe3 에서 원하는 Perovskte 구조를 얻고자 했지만, 소결 조건이나 원소 비율의 문제로 인해 Spinel 구조가 나왔 ... 했습니다. 그러다 역발상을 통해 균열을 역이용하자는 창의적인 방법을 모색했습니다. 균열 메커니즘을 분석하고자 Ansys 프로그램을 스스로 학습하였고, 물질의 응력과 균열의 발생

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.31

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  반도체 전공정 면접 대비 자료

  흐름. 도핑이 빛, 열보다 제어 쉬움(10^16~19) -N(최외각 전자 9개)/P, 메모리(데이터 저장), 비메모리(연산 수행) 에너지 밴드 -가까워지면 에너지 준위 중첩 ... 상수: 진공 유전율 1로 봤을 때 상대적인 유전율 비(sio2 경우 3.9) -정의: 전기장 인가시 다른 극성 전하 생기는 물질 -활용: low k는 절연막, high k는 커패시터 ... tunneling에 의한 누설전류 증가. 따라서 high k 물질 도입해 두꺼우면서 충분한 capacitance. 이때 Poly Si 사용하면 전자산란으로 mobility 감소 -Hfo2

  자기소개서 | 16페이지 | 3,500원 | 등록일 2024.10.01 | 수정일 2024.10.15

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  [물리학과][진공 및 박막실험]진공의 형성과 RF Sputter를 이용한 ITO 박막 증착 결과 보고서

  2O3: SnO2의 비율이 90:10 ~ 95:5의 비율로 Sn이 도핑된 In2O3로 표시되는 산화물이다. ITO 박막은 우수한 기 비항 높은 투과도로 인해이를 체할 물질이 없 ... 등등)에 대하여 알 수 있었다.4. 토의진공이란 원래 라틴어로 ‘vacua’, 즉 기체(물질)가 없는 공간의 상태를 의미하여 이런 이상적인 진공 상태일 때 기압(압력)은 0이 된다 ... . 하지만 실제로 이렇게 완전한 진공 상태의 제작은 불가능하다. 우주 공간의 경우도 미약하지만 물질의 입자들이 계속 움직이고 있기 때문에 기압이 지구상의 대기압의 약 10-7 분

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23

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  카이스트 생명화학공학과 대학원 자기소개서

  커패시터 개발 연구, 신축성 유기 태양전지 소재 설계 및 소자 제작 전략 연구, 2-전자 산소 환원 반응을 위한 헤테로원자 도핑 탄소 전기촉매의 최근 진행 상황 분석, Co3O4 ... 겔에 캡슐화된 금속 나노입자의 현장 생합성 연구, 미생물 세포 및 박테리오파지를 이용한 무기 나노물질의 생합성 연구, 제올라이트 이미다졸레이트 골격 유래 아연 헥사시아노철산염 복합

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.02.20

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  고체와 신소재,고체의 분류,비결정성 고체,결정성 고체의 형태,단위 세포와 결정 격자,분자성 고체의 구조

  다. 나노물질(nanomaterial): 결정성 화합물로, 개별 결정 차원은 1~100 nm 정도이다. 더 큰 결정성 물질과는 성질이 매우 다르다.결정성 고체와 비결정성 고체고체결정 ... . IVA 족 원소의 에너지 띠간격: 0.08 - 3.05 eV(7-300 kJ/mol) [주의!] 띠간격이 3.5 eV 이상인 물질: 절연체(insulator)반도체원소 중 IVA족 ... 만이: 원자가전자=4개, 반도체! 무기 반도체(예:GaAs)의 경우 : 평균 원자가전자=4개(Ga은 3개, As는 5개)도핑반도체의 전도도를 변화시키는 방법: 과량 전자 원소

  리포트 | 40페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.10.05

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  유기공업화학실험 pedot 중합 예비레포트

  롭게 움직일 수 있는데 이러한 고분자를 -conjugated polymers라고 하기도 한다. 이러한 폴리머에 요오드와 같은 물질로 도핑(전자를 이동시키는 원인. 전자를 하나 더 갖 ... 고 있거나 덜 갖고 있는 물질을 불순물로 첨가해 주는 것)을 하게 되면 요오드가 파이 결합의 전자를 하나 뺏어가 고분자는 전자가 모자라게 되고(positive solution 상태 ... ) 이로써 전자가 이동하게 된다(hoping).띠 간격 이론 (Band Gap Theory)물질은 Conduction band와 Valence band의 에너지 차이에 의한 자유전자

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.27 | 수정일 2022.07.01

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  경희대학교 일반대학원 반도체공학과 학업계획서

  연구, 2차원 물질, 금속-유기 구조체(MOF), 금속 산화물, Sol-Gel 등 반도체 소재 합성 및 차세대 소자 응용 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 미세플라스틱 농도 ... 습니다.저는 또한 소스 접합의 재료 및 도핑 프로파일 엔지니어링이 라인 터널링 FET 작동에 미치는 영향 연구, 입계 확산을 통한 이결정의 기공 치밀화를 위한 2차원 몬테카를로 모델 연구

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.04.28

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  한양대학교 일반대학원 신소재공학부 학업계획서

  .3. 연구계획저는 한양대학교 대학원 신소재공학부에서 리튬 이온 배터리의 양극을 위한 F, N-코도핑된 메조다공성 탄소 골격 내의 Co/CoO 입자 연구, 비평면 Al2O3로 캡슐 ... -유기 골격체(MOF) 유래 탄소나노물질의 합성 및 수분흡착 등온선 연구, 액체 전구체 보조 화학 기상 증착을 통한 웨이퍼 규모 2차원 몰리브덴 디셀레나이드 광트랜지스터 어레이 연구

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.03

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  한양대학교 일반대학원 신소재공학부 학업계획서

  (3 헥실티오펜) 트랜지스터 연구, 고급 계면 상변화 물질: 구조적으로 제한되고 계면적으로 확장된 초격자 연구, 난연성, 압저항 및 전자기 간섭 차폐 표면을 생성하기 위한 폴리 ... 마이크로 멤브레인 연구, 음의 커패시턴스 전계 효과 트랜지스터를 위한 산소 결핍 웨이크업 프리 La-도핑 HfO2 강유전체에 대한 수성 경로 연구, 위조 방지 태그를 위한 레이저

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.02.29

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  중앙대학교 화학신소재공학부 편입 자기소개서

  물질의 특성을 분석하였습니다.특히, 연구 과정에서 난관도 있었습니다. 목표한 전도성을 얻는 데 실패했을 때, 팀원들과 함께 기존 시료의 혼합 비율을 변경하는 실험 계획을 세우 ... 며 문제 해결을 시도했습니다. 이후 표면 저항을 낮출 수 있는 도핑 기술을 추가로 도입하여 성공적으로 목표 성능을 달성할 수 있었습니다. 이 과정에서 도출된 결과는 팀의 학술 세미나

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.01.21

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  삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)

  로 Scaling down에 의해 Gate oxide 두께 감소에 따른 Tunneling에 의한 leakage입니다. 이를 개선하기 위해 Cox를 높여야 하며, high-k 물질을 사용 ... ) SDrain의 도핑 농도 차이를 줄여 E-field 집중을 줄이고 depletion region 확장을 억제하는 방식이 있습니다. 하지만 기판의 도핑 농도를 너무 높이게 되면 문턱 ... 한데, 미세화되고 고밀도, 고집적, 고성능화함에 따라 웨이퍼 표면에 오염물질들은 반도체 제품의 수율 및 품질 신뢰성에 부정적 영향을 줄 수 있어 없어서는 안 될 필수 공정이다.DRAM

  자기소개서 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28

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