"RF-magnetron sputter" 검색결과 101-120 / 145건

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  [전자공학]Sputter

  diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic c ... Report- Sputter -과목 :학과 : 물리학과이름 :학번 :1. sputtering의 기본 개념1.1. Sputtering 현상스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자 ... 가 커서 증착속도 감소② gas pressure?기체 압력이 너무 낮으면 - 플라즈마의 이온화율 감소 → sputtering 속도 감소?기체 압력이 너무 높으면 - mean free

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13

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  스퍼터링

  ). 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)Glow 방전(discharge)의 경우 낮은 가스압 하에서는 전자들의 평균자유 행로가 너무 커서 이온화 효율 ... . 이 현상을 스퍼터링(sputtering) 현상이라고 부른다. 이 현상이 1842년 Grove에 의해서 발견된 후 박막 제작에의 이용은 1870년대부터 행해져 왔는데, 공업기술 ... 은 널리 이용되기 시작하였다.(1). 스퍼터링 과정타겟(cathode) 쪽에 음전압(dc or rf)이 걸리게 되면 타겟에 걸린 전압과 같은 에너지를 갖는 secondary

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10

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  [신소재]진공증착법

  magnetic confinement and the resulting electron trajectories.-☞ magnetron sputtering system① electron s ... 으로 magnetron source: 앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 ‘racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. → 고체 원판 ... 이용면에서 다른 형태의 많은 target이 개발되고 있다.-Circular, planar magnetron cathode schematic, illustrating the

  리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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  산화아연의 전망

  magnetron sputter 법을 이용하여 As이 도핑 된 p-형 ZnO 박막성장이 보고되었다.10) 그러나 p-형 ZnO 내의 정확한 AS 도핑 기구는 아직 규명되지 않고 있 ... 에너지 준위6Fig. 3. ZnO의 수열합성법10Fig. 4. GaMnAs을 이용한 spin-LED15Fig. 5. p-형 반도체의 예상 Cruie 온도16Fig. 6. Green ... , Missouri 대학의 Y. R. Ryu등9)은 PLD 법을 이용하여 GaAs 기판에 의한 As 도핑 방법을 이용하여 p-형 ZnO 박막을 제조하였다고 보고하였으며, RF

  리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.29

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  필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성(optical property)에 미치는 영향

  . IntroductionFIG. Schematic of low-frequency inductively coupled plasma assisted rf magnetron sputtering ... Visible photoluminescence from plasma-synthesized SiO2-buffered SiNx films: :Effect of film ... silicon has stimulated researchers to explore effective silicon-based light-emitting materials

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.02

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  기체(noble gas)가 스퍼터에 이용된다. 가스의 원자량이 클수록 sputter yield가 크기 때문에 argon 이 널리 사용된다.2) RF 스퍼터링RF 스퍼터링 장치는 절연 ... 이 있다. 효과적인 sputtering을 위해서는 coupled electrode(target)의 크기가 direct electrode의 크기보다 작아야 한다. RF 발생기를 직접 ... 를 이온화시켜 막질에 영향을 미치는 경우가 있으며, 또한 장치가 복잡해지는 단점이 있다. 아래그림은 진공증착장치의 기본구조를 보여준다.(2) 스퍼터링(sputtering)고체의 표면

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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  스퍼터링

  은 PVD(Physical Vapor Deposition)으로써, evaporation, sputtering 과 같은 물리적인 힘(증발, 승화, 이온충돌 등)을 이용하여 시편에 증착 ... 을 시키는 방법이다. 종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided ... Sputtering, Magnetron Sputtering, Bias Sputtering, Ion Beam Sputtering 등이 있다.Vapor-phase epitaxy의 발전을 위한 많

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.13

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  반도체공정 (Etching & Doping)

  이용한다. → magnetron sputter② 용량 결합형 RF charge반도체 공정에 있어서 DC보다 RF가 훨씬 광범위하게 응용이 되는데 그 이유는 다음과 같다.A. RF ... 이 가능하나 DC의 경우는 반드시 노출이 되어야 하므로 전극 물질의 sputtering, develop 등에 의해 오염될 확률 이 높다.C. RF 방전의 이온화 효율이 일반 ... 적으로 DC 방전에 비해 높다.D. RF plasma의 방전 유지 압력이 DC plasma에 비해 낮다.Figure 4.1 Development of a self-bias in a

  리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [전자공학] 박막형성법과 그성질

  , Magnetron sputtering, Unbalanced magnetron sputtering 등이 있다.(1) Reactive vs non-reactive process① non ... puttering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron s ... ①10-1∼10-2Pa)(3) 가장 일반적인 magnetron source앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 'racetrack'형태로 sputter

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [박막 증착] PVD의 원리와 종류

  yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 두 ... mode, stoichiometry, film properties, 기체 혼입 가능성에 큰 영향을 미 친다.불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering ... 의 형성과 target의 오염을 피하기 위해 공정의 주의 깊은 조 절이 필요 compound-coated cathode간단하나 sputtering 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [재료공학]박막의 증착 공정

  sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron ... process․불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering- 타겟이나 기판에 직접적인 화합물 형성에 참여하지 않음․불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 ... sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic cathode․target은 깨끗한 금속표면으로 유지(화합물의 형성은 기판과 증착용기벽에 국한)sub-s

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.09

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  [나노입자]나노 입자 제조 및 분석 방법

  게 tering 법· sputtering 의 원리- sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 camber내로 주입하여 성막하고자 하는 target물질 ... puttering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.- 마그네트론 스퍼터링 ... -up approach? Self-assembly1.2 나노 입자의 여러 가지 제조법1.2-1 Gas phase synthesis(1) Gas to Particle c

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.05.28

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  이온 플래팅

  를 사용함)6)다양한 증발원을 사용하기 때문에 증착율를 제어할 수 있다.(저항가열, e-beam, 유도가 열, sputter, magnetron 등)7)오염물, 유독성 용액을 사용 ... the cathode sheath (Vp-Vc)- Rf : Vp는 anode의 면적과 anode에 걸린 전압에 관련된 값.플라즈마 전위는 일차적으로 양극의 전위와 양극의 접촉면 ... 에서 문ting동안 negative glow에서의 이온을 음극으로 가속시켜 충돌시킨다. cathode sheath의 두께(L)는 중요한 공정변수로써 child-lagmuir이 관계식

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.27

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  [박막증착]박막증착

  형태로 sputter erosion이 일어난다. 따라서 고체 원판형 target에서 많은 양의 낭비가 생기고, target을 가로질러 스퍼터된 원자의 밀도가 고리 모양의 분포 ... (Evaporation)SputteringDC, RF, DC Magnetron, RF Magnetron,Bias, ReactiveIon Plating◎ 무전해 도금전기를 사용하지 않고 화학반응 ... 1. PVD, CVD, 무전해도금◎ PVD (Physical Vapor Deposition)PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.20

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  박막의증착

  -beam, 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해왔으나? 최근에는 엑시머 (Excimer= excited ... 에 날아와 균일하게 증착되는 것이다.?????(A) Magnetron sputtering☞ Cathode에 영구 자석이 장착되어 타겟 표면과 평행한 방향으로 자장을 걸어 주는 s ... 에 sputtering 할 수 있다.?☞ 합금이나 화합물도 조성을 유지하면서 증착이 가능하다.☞ 증착시 증착물의 조성을 바꿀 수 있다.☞ 내화 재료의 증착.☞ 아연막의 증착

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.26

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  Thermal evaporation system

  는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD(화학 ... 다.둘째는 적절한 환경 제공이다.예를 들어 sputtering을 이용할 때는 수 m torr의 기압이 필요하나 CVD(chemical vapor depositon:화학기상증착법 ... .2. 증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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  포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

  에서는 TFT-LCD의 제조 공정의 기초 단계 중 하나인 Photolithography 공정에 대하여 자세히 다루고, 다음으로 금속 전기 배선 기술인 sputtering 기술과 도금 ... 법인 무전해 도금과 전해 도금에 대하여 기술하도록 하겠다.Key Words : Photolithography, sputtering, electoplating, electoroless ... 하게 되는 현상을 말한다.그림 . Sputtering의 기본 원리(출처 : www.cstl.nist.gov)박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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  [박막공학]여러가지 박막 제조 공정

  로우 방전은 DC 또는 AC(RF systems) 에 의하여 이루어 짐.전압이 가해지지 않았을 때 가스는 중립의 원자 상태로 존재함 전압이 가해지면, 자유전자 가 가속되며 원자와 탄성 ... 은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충 돌 하는 과정을 반복함.DC sputtering DC sputter의 구조접지진공아르곤 주입구웨이퍼가열기전극 (양극)전극/타겟 (음극 ... ECR 플라즈마 CVDPVD(물리적 증착 방법) * 진공 증착 저항 가열 증착 전자빔 가열 증착 * 분자선 에피택시 * 스퍼터증착 직류스퍼터 증착 고주파 스퍼터 증착 마그네트

  리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16

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  반도체 조립(신뢰성 문제로서의 Passivation, stress migration)

  다. 이런 여러 배선재료의 특성에 passivation 효과를 알아보도록 한다.① Dielectric overlayer passivation- magnetron sputter와 E ... -beam evaporator를 이용하여 반도체 배선을 제작하고, RF sputter를 이용하여 3000Å의 SiO2의 절연보호막을 형성하였다. Al. Al-alloy등의 박막배선 ... . 박막 passivation 두께 조절에 따른 IC chip의 전기적 성능에 영향과 최적화 방향을 알아본다.① Bilayer Passivation structure-기판위

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.12.22 | 수정일 2017.11.04

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  박막의 제조방법

  스퍼터링(Triode Sputtering)(다) 자기 스퍼터링(Magnetron Sputtering)(라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)② RF(Radio ... Frequency) 과정 : RF 마그네트론③ 이온도금(Ion Plating)(1) 열증발(Thermal Evaporation)(2) 이온빔 증발(Ion-beam ... 율(sputter yield)사. 플라즈마 보조 PVD(Plasma Assisted PVD)의 분류① DC 과정(가) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering)(나) 삼극

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

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