"high k dielectric" 검색결과 41-60 / 66건

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  전기전자기초실험 Audio Amplifier Circuit Design 예비보고서(영문)

  omponent consisting of a pair of conductors separated by a dielectric.A capacitor is used to smooth the ... the circuit in terms of high/low frequency modification.Capacitor gets short or open according to ... input frequency. 22nF capacitor gets open in low frequency, short in high frequency. Therefore

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.25

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  물질 유전 상수 측정

  HF를 이용하여 자연 산화막을 제거한다.②게이트 유전체 증착- 열적산화를 통하여 웨이퍼에 산화막을 성장시키고, RF sputter를 이용하여 High-K dielectric을 증착 ... 량과 장치 신뢰도의 감소를 야기시킨다. 따라서 High-K를 가지고 SiO2를 대체하는 물질은 누전되는 효과없이 게이트의 capacitance를 증가시키는 것을 가능하게 한다 ... 의 capacitance를 증가시키기 위한 대안은 SiO2보다 높은 high-K를 가지고 있는 물질로 대체하는 것이다. 이런 방법으로면 더 두꺼운 게이트는 누출되는 전류를 감소

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10

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  MOSFET_최종

  로 여러 가지 금속전극에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.② 게이트 절연막- Gate capacitance 개선 및 누설 전류 억제를 위해 high-k dielectric 도입

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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  연세대 전기전자 기초실험 09년도 A+ 레포트 예비 6

  other device regions by a gate dielectric layer which in the case of a MOSFET is an oxide, such as ... individual highly doped regions that are separated by the body region. These regions can be either p ... highly doped source and drain regions typically are denoted by a '+' following the type of doping. The

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.17

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  박막 증착 기술 (Thin Film Deposition Technology)

  ) 300mm wafer Integrated Process Single Wafer Process MIM with High k Low temperature Process High K ... Batch Process SIS/MIS High temperature Process Conventional TR0.15/0.13um ('01-'04) 0.1um ('03 – '05 ... mean free path » target to substrate distance IBD provides naturally highly collimated sputtered s

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.21

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  유지방구 균질

  은 용해되지 않으므로 굴절률, 삼투압, 빙점 등은 지방에 거의 영향을 받지 않고, 그리고 콘덕턴스 (electric conductance)와 절연상수 (dielectric c ... 에서 가속작용과 지연작용을 할 수 있는 매우 높은 속도구배뿐만 아니라 높은 전단구배 (high shear gradient)가 있기 때문이다. Deformation에 의해 liquid ... 다. p2k는 cavitation이 일어나기 위한 a critical back-pressure가 존재함을 나타낸다. cavitation에 의한 vapour bubble의 형성을 위

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.14

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  MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)

  하여까지 온도를 올려 oxide를 성장시킨다.② Reactive sputtering : RF sputter를 이용하여 상온에서 High-k dielectirc을 증착시킨다. 분당 3 ... : 10 용액에 wafer를 담궈 native oxide를 제거한다.(2) Gate dielectric deposition① Thermal oxidation : furnace를 이용

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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  고분자 가공

  * Electrical resistance (역의 개념이 conductance) * Dielectric behavior Dielectric constant는 공기의 capacitance에 대한 ... , Fig. 12-21: POM의 결정화 속도인데 최대값을 보이는 온도가 있슴. 실험적으로 이 온도는 고분자 melting 온도의 8/9이 밝혀짐 ( K scale) - 또한 ... ) * high modulus 및 high impact이 동시 요구될 때 활용함. * Rigid polymer와 rubbery polymer와의 blend가 유리함.**Chain

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.10

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  Evaporator 원리및 설명, 진공의 종류및 응용

  lubricant grease of hydrocarbons, you can use an oil diffusion pump (DP) system as a high vacuum pumping ... system. For this case, pneumatically driven high vacuum valves using lubricant grease, such as ... is recommended. For this case, you must use greaseless high vacuum valves such as gate-type valves

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.06

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  압전체

  하는 표준의 의미를 가지는 것이 확실하지만, k가 가진 물리적 의미는 이해하기 어렵다. 이해하기 쉬운 물리적 의미는 k에 있는 것이 아니라 k²에 있다.k² = Mechanical ... : Dielectric Conatant 유전상수축전지의 두 전극 사이에 유전체를 넣었을 경우와 넣지 않았을 경우(엄밀히는 진공일 경우)의 전기용량의 비율이다. 즉, C/C0의 비이 ... 반면에 Qm이 작다. 그리고 aging effect가 작으며 High power transducer & Transformer에 응용된다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.15

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  [A+평가자료] 납땜인두의 재료와 공정

  를 8300℃10 610 6-?-?500℃10 410 3--Dielectric Constant(1MHz)-2833--Dielectric Loss Angle(1MHz)(x10-4 ... )AppearanceDenseDenseColorBlackBlackBlackBlackMain Characteristics*High Temperature Strength*Wear Resistant ... *Excellent Thermal Shock Resistance*Light Weight*High Temperature Strength*High Chemical Resistance

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.19 | 수정일 2017.04.06

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  신소재 용어 전기적 기능 도전성

  자성체가 되는 성질임계온도, Tc(K), 이상에서는 초전도 현상이 일어나지 않는다. 초전도를 얻기 위해, 온도(T), 자계(H), 전류밀도(J)가 입계치 이하가 되어야 한다. Tc ... 가n는 15~23K Tc, 20~40T의 Hc를, PbMo6S8은 50T를 가진다. 이 화합물계는 우수한 초전도를 나타내나 취약하여, 선재화하여 사용한다.* 초전도 특성은 대전류 ... 보다 비싸다.* 고순도(high purity); 순금속 중 순도 한계가 5N이상, 99.999%~. 실리콘 반도체가 오늘날처럼 사용되는 하나의 이유는 11N의 고순도를 얻을 수 있

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.21

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  [공학]CVD 이해

  기까지 많은 응용분야가 있다. CVD법에 의한 박막 형성에는 이하와 같은 응용이 현재 가장 주목을 받고 있다.(1) High-k막(고유전율 막) PVD법에서의 전환(2) Low-k막 ... )도 필요하다.Front end에 있어서 가장 중요한 응용분야는 High-k(고유전율)막이다. Scale down에 의해 Si 산화막의 막 두께가 한계에 도달하고, 캐패시터 ... 은 내놓지 못하고 있다. High-k 절연막에 관련하여 gate 전극도 종래의 폴리 실리콘 막에서 금속막과의 적층, 또는 다결정SiGe와 금속 막과의 적층이 필요하게 되고, 새로운

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.30

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  전동기의 활용 및 종류

  는데, (UL1007)2. Bearing Type1 Ball 1 Sleeve2 Sleeve※ high quality P5 grade Ball Bearing & sleeve SIZE ... : 80mm x 80mm x 25t3. Typical ApplicationsMeasure Equipment, SMPS, OA·FA{{{{2) CPU COOLING SYSTEM (K ... 되는지 Fan에 비해 소음이 적다)이 있다. Medium-Speeded Fan에 의한 방열 효과는 High-Speeded Fan만큼 강력하진 않다. 하지만 방열판 밑면에 환기구멍

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.01.26

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  HPLC 세미나

  H P L C (High Performance Liquid Chromatography)목 차HPLC 2. HPLC의 기기장치 3. 참고문헌목 적- HPLC에 관해 알아보자. ... - HPLC의 원리와 기기에 대해 이해해보자.1. HPLC (High Performance Liquid Chromatography)1. HPLC (1) HPLC란고정상의 입자의 크기 ... 용리(Gradient Eiltion) 혼합물내 성분들의 k' 값이 서로 많이 다를 경우, 용매 세기가 너무 빨리 용리되어 나오고 (1) 용매 세기가 약할 경우에는 분석시간이 너무

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.01

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  [플래시 메모리] 플래시메모리

  incompatible with standard CMOS processes. Moreover a thicker high-K dielectric would only improve memory data ... 유전체로 SiO2를 대체할 high-k 물질을 찾으려는 연구 계속됨. But so far, most of the high-k materials are quite ... LinesBit CellSense AmplifierAddressHighLowDataDRAM구조:1T + 1CDRAM특징VOLATILITY HIGH DENSITY HIGH POWER

  리포트 | 70페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.11.18

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  [재료금속] Gate Oxide(게이트옥사이드)

  이 커지고, transistor의 수명이 짧아지는 등의 많은 문제가 발생하게 된다. 따라서 전기적 두께를 낮게 유지하면서 물리적 두께는 실제보다 큰 high-k 산화막이 필요 ... 하다.반도체 산업 연합회는 2002 International Technology Roadmap of Semiconductors에서 high-k gate 산화막이 우선적으로 low ... ~ 2005년경에 SiO2보다 high dielectric constant를 가지는 새로운 gate dielectric의 출현을 예상한다. 그러나, 이 경우도 Si-substrate

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.22 | 수정일 2017.07.17

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  [반도체 공정]mocvd

  , titanium nitride, and various high-k dielectrics.A number of forms of CVD are in wide use and are ... CVD (RTCVD)Atomic Layer CVD (ALCVD)Low Pressure CVD (LPCVD)Ultra-High Vacuum CVD (UVCVD)Atmospheric ... cess are either LPCVD or UHVCVD.Ultra-High Vacuum CVD (UHVCVD) - CVD processes at very low

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.22

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  [재료공학]파인세라믹스(fine ceramics),알루미나 세라믹스

  필터(Chemical Filter)높은 전기절연성(High Dielectric Strength at High Voltage)☞ 고온, 고압 및 고주파 영역에서도 고절연, 강유전 ... = SiO2-Al2O3-K2O) 인데, 모두 SiO2를 포함하는 화합물 즉, 규산염이다. 이 때문에 범용세라믹스를 제조하는 공업은 규산염 공업이라고도 불리게 되었다. 세라믹 ... , Sapphire)라 불리우는 천연산 보석▣ 산업용 소재로서의 알루미나 세라믹스성분상 알루미나를 80%이상 함유한 인공광물을 알루미나 세라믹스라 호칭Al2O3 50~80% : High

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.08

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  [전자전기실험] 커패시터, RC회로의 과도응답(예비레포트)

  )DMM오실로스코프함수발생기탄소저항: 22MΩ, 10%, 1/2W 1개1kΩ, 10%, 1/2W 1개커패시터: 2.2μF 전해(electrolytic) 1개10nF 세라믹 디스크 ... .참고:커패시터(or condenser):두개의 금속이 거리를 두고 떨어져 있거나 유전체(dielectrics)가 두금속 사이에 삽입된 것. (단위:Farad or F)커패시터에 저장 ... .3.3 FG(+)-저항-커패시터(10nF)-FG(-)의 순서로 연결된 회로에서 시정수를 10μs로 하고자 할 때의 저항을 계산하라. FG의 출력을 0.5V의 사각파(high=0

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.30

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