반도체 제조 공정

소개글

반도체제조공정

목차

반도체 제조 공정
반도체 제조의 주요 화학반응 공정 - 산화(oxidation) 공정
반도체 제조의 주요 화학반응 공정 - 화학기상증착(CVD) 공정
CVD 반응장치
에피택시(Epitaxy) 공정
식각(Ecthing) 공정
웨이퍼 세정(wafer cleaning)

본문내용

화학공학이 반도체 제조공정에 관여하기 시작한 것은 1960년대 초였다. 세계 최초로 집적회로(Integrated Circuit, IC)가 텍사스 인스트루먼트(Texas Instrument)사에 의해 개발되었을 때, 그 개발 팀의 한 요원이 화학공학자였다는 것은 주지의 사실이다. 이 시기는 석유화학공업이 정점에 도달한 시기로서 화공인들의 주된 관심은 석유화학공학에 집중되어 있었으며, 반도체 산업에 있어서도 집적회로 제조에 관한 당면 과제는 회로설계와 소자물리에 있었으므로 소자 제조공정에 대한 인식은 상대적으로 적었다. 하지만 1970년대에 들어오면서 석유화학공업관련 기술이 이미 성숙된 상태에 이르게 되었고, 또한 일본이 회로설계에서는 약하나 몇몇 반도체 분야에서 미국에 필적할 정도까지 성장한 이유가 화학공학을 기반으로 한 반도체 제조 기술이 강했기 때문이라는 사실이 알려지기 시작하면서 화학공학자들의 참여도 점차 증가하게 되었다. 전반적인 반도체 산업의 성장과 더불어 1980년 초에는 미국 화학공학회가 반도체 공정 분야를 화학공학의 첨단 분야의 하나로 선포하였고, 그 이후로 이 분야는 화학공학 내에서 큰 성장을 거듭하여 현재는 미국 내의 많은 화학공학 전공자들이 반도체 공정 분야에 직․간접적으로 관련된 일을 수행하고 있고, 또한 화학공학과 졸업자들의 주요 취업분야의 하나로도 자리 잡고 있는 실정이다. 우리나라에서 화학공학이 반도체 공정에 흥미를 가지기 시작한 시기는 1980년대 초부터라고 볼 수 있다. 이때를 전후하여 국내의 몇몇 대기업들이 메모리 칩(memory chip)을 만들기 시작함에 따라 반도체 공정은 화학공학자들의 관심을 끌기 시작하였다. 한국 화학공학자들의 초기 참여 형태는 주로 생산라인의 설계와 시공에서 이루어졌으며, 이를 통하여 제조공정에 대한 기본 개념들이 화학공학 전공자들에게 알려지게 되었다. 이후 반도체 집적회로의 양산체제 구축과 공정개선을 통한 수율 및 집적도의 증가가 반도체 산업의 성패에 직접적인 영향을 미치게 됨에 따라 국내 반도체 산업에서의 화학공학자의 역할도 점차 증대되었다.

참고 자료

없음