MOS 2nd order effect(2차 효과)

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MOS 2nd order effect(2차 효과)에 관련된 발표 자료 입니다.

목차

Second order effects
1.Mobility Reduction with VG
2. Velocity Saturation
3. Finite Output Resistance
(1) Channel length modulation
(2) Drain Induced barrier lowering
4. Threshold Voltage Realated Short & Narrow channel
(1) Short Channel effects
(2) Narrow Channel Effects

본문내용

1.Mobility Reduction with VG
: VG가 늘어남에 따라 Sat. Current가
점점 더 심하게 줄어듬.
-> Channel carrier의 mobility가 감소
: 실제로는 VG가 Vertical field를 만들
어 channel electron의 scattering 에
영향.(The # of scattering depends
on the inversion channel thickness)
Second order effects(1)
2. Velocity Saturation
: Electric field가 어느 정도 증가하면 Drift velocity 가 일정해짐.
(Electron Energy ↑ -> 충돌 ↑ -> Average velocity limited)
: 3~4ⅹ104V/cm
: Pinch off 전(VG : Short Channel 에서 나타남.
Second order effects(2)
Second order effects(3)
3. Finite Output Resistance
(1) Channel length modulation
: Channel의 Pinch off 현상으로 VD가
증가함에 따라 Channel의 길이가
짧아짐. 그러나 Channel안의 Voltage
drop(VG-VT)은 일정. ∴ 단위 길이당
Electric field가 높게 된다
-> Increase Current
(2) Drain Induced barrier lowering
: Drain Gate 가 아닌 Drain의
Depletion(Drain의 E)에 영향을 받기
시작하면서 barrier가 낮아 지는 현상
VD=VG-VT
VD>VG-VT
Second order effects(4)
(2) Drain Induced barrier lowering
: Drain Gate 가 아닌 Drain의
Depletion(Drain의 E)에 영향을 받기
시작하면서 barrier가 낮아 지는 현상
: 해결책
1) Thin Oxide (b)
2) Higher doping (c)
(A)

참고 자료

없음