LED와 Laser Diode의 특성평가

소개글

화학공학 기초실험인 LED와 Laser Diode의 특성평가입니다.
실험기구 사진과 실험방법이 자세히 설명되어 있습니다.
결과레포트로서 실험결과 및 고찰도 기제하였습니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험기구
4. 실험결과
5. 결과및 고찰
6. 참고문헌

본문내용

1)목적
전자의 여기와 재결합에 의한 발광의 원리를 이해한다.
2)이론
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성 입니다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태라는 것입니다.
N형 반도체는 -, 즉 전자가 많은 반도체입니다. 물체의 극성으로 따지자면, 이 역 시도 중성입니다. 한마디로 내부 분자결합 구조가 전자가 탈출하기 쉬운 상태이지 요.
이 두개의 반도체를 서로 접합시키게 되면, 접합부분에서 N형 반도체에서 빠져나 온 소량의 전자가 P형 반도체로 이동, 안정화되게 됩니다. 즉, 빠져나갈 놈은 빠 져나가고 들어갈 놈은 들어가서 안정적으로 된다는 것이죠.
그러나 이렇게 서로 안정화되면서 나타나는 현상은, P형 반도체에는 전자가, N형반 도체에는 정공이 많이 생겼다는 점입니다. 이는, 중성인 물체에서 각각 -, + 성분 이 더해 졌기 때문에 극성이 생겨버린 겁니다.
다시 말하면, 접합다이오드의 접합 부분에 p형 반도체에는 -형이, n형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형 반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 됩니다.
이 부분을 공핍영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압이라고 합니다.
②LED(발광다이오드)
반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어고, 이들 의 재결합(再結合)에 의하여 발광시키는 것.
LED(light emitting diode)라고도 한다. 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기루미네센스[전기장발광]라고 하며, 1923년 탄화규소 결정의 발광 관측에서 비롯되는데, 1923년에 비소화갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대 말에는 이들이 실용화되기에 이르렀다.

참고 자료

응용화공기초실험 교재
http://100.naver.com/100.nhn?docid=70838
http://blog.naver.com/ssflower1?Redirect=Log&logNo=10000669478