[공학]led

소개글

led

목차

□ LED(Light Emitting Diode)란?
□ LED의 구조와 원리
□ LED의 특징
□ LED의 종류
□ LED의 제조공정
□ LED를 불이 들어 오게 하는 방법들
□ 각종 LED 제법과 특성
□ 향후개발과제 및 동향

본문내용

□ LED(Light Emitting Diode)란?
발광다이오드의 영어 명을 줄인 것으로 빛을 발하는 반도체소자를 말하며 그 빛의 색은 반도체 칩 구성원소의 배합에 따라 파장을 만들어 내며 그 파장이 색을 나타내게 된다. 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고 이들의 재결합(再結合)에 의하여 발광시키는 것을 말하며 즉 LED(light emitting diode)라고도 한다. 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네선스[전기장발광]라고 하며 1923년 탄화규소 결정의 발광 관측에서 비롯되는데 1923년에 비소화갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대 말에는 이들이 실용화되기에 이르렀다.
발광다이오드에 적합한 재료로는 ① 발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것 ② 발광효율이 높을 것 ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs 인화갈륨 GaP 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs 인화인듐 InP 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데 2 B 6 B족이나 4 A 4 B족인 것에 대하여도 연구가 진행되고 있다.
발광기구는 크게 나누어 자유 캐리어의 재결합에 의한 것과 불순물 발광중심에서의 재결합에 의한 것이 있다. 발광파장은 대략 ch/Eg(c 는 광속 h 는 플랑크 상수 Eg 는금지띠의 에너지폭)와 같으며 비소화갈륨의 경우에는 약 900nm인 근적외광이 된다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.
한편 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. 인화갈륨인 경우 아연 및 산소 원자가 관여하는 발광은 적색(파장 700nm)이고 질소 원자가 관여하는 발광은 녹색(파장 550nm)이다. 발광 다이오드는 종래의 광원(光源)에 비해 소형이고 수명은 길며 전기

참고 자료

없음