[반도체]강유전체의 FRAM에서의 활용방안

소개

DRAM으로 대표되는 현재의 반도체 시장에서 새롭게 등장하고 있는 기술로 FRAM, MRAM, PRAM등을 들 수 있겠다. 그 중 특히 가장 빠르게 상용화가 이루어지고 있는 강유전체를 이용한 FRAM에 대해 자세한 조사와 함께 문제점과 해결방안, 앞으로의 전망에 대해 상세히 서술하였다.
발표자료나 논문 등으로 활용될 수 있는 수준으로 깊이 있게 조사하였고 첨부 그림등으로 뒷받침하였다.

목차

제 1 장. 서 론

제 2 장. 문 헌 조 사 2.1 강유전체
2.1-1 강유전체의 정의
2.1-2 강유전체의 특성
2.2 FRAM
2.2-1 FRAM의 정의
2.2-2 FRAM의 특성

제 3 장. FRAM의 기술적 동향
3.1 FRAM의 동작원리
3.1-1 FRAM의 읽기 쓰기 방법
3.1-2 FRAM의 동작상 과제
3.1-3 개 선 방 법
3.2 FRAM의 종류
3.2-1 반전분극형 전류형(Capacitor형
3.2-2 FET(Field Effect Transistor)형
3.3 FRAM의 재료
3.3-1 P Z T
3.3-2 S B T
3.3-3 B L T
3.4 전기분극 벡터의 중요성
3.5 잔류분극을 이용한 2진법 메모리
3.6 FRAM 캐패시터로서 요구되는 강유전 박막의 특성
3.7 FRAM의 타메모리에 대한 비교우위

제 4 장. 결 론
4.1 강유전 재료가 가지는 문제점과 극복방안
4.2 대표적인 강유전 박막과 신소재의 개발

본문내용

특히 반도체 소자 부분에서 CPU와 memory를 중심으로 고속화 및 대용량화가 빠른 속도로 이루어져 현재 반도체 메모리는 1기가급 이상의 고밀도화가 이루어지고 있으며 수 nano second 정도의 빠른 데이터 입출력이 가능한 high speed DRAM이 등장하였다. 이러한 고속화와 대용량화는 현재와 같이 대용량의 정보가 교환되는 정보통신사회에서 요구되는 중요한 기술로서 고속화와 대용량화가 추구되어왔다.
현재 강유전체의 응용이 활발하게 연구되고 있는 분야는 메모리 분야이다. 메모리 분야는 크게 DRAM(dynamic random access memory)과 FRAM(ferroelectric random access memory)으로의 응용으로 나눌 수 있다. DRAM에는 강유전체의 큰 유전율을 이용하여 커패시터(capacitor)로 응용되고, FRAM에서는 1T/1C(one transistor/one capacitor)에서의 커패시터와 1T FRAM의 게이트 절연체(gate insulator)로서 응용된다.

참고자료

· 1. Ben G. Streetman, Solid state electronic devices (2000)
· 2. 노광수, “강유전체 박막 개론”
· 3. 강태원, 물리학과 첨단세계9 (7/8),33(2000)
· 4. Yet-Ming Chiang, Physical ceramics (1999)
· 5. http://www.helloec.net/network/FRAM.htm
· 6. Richard C. Jaeger, Introduntion to Microelectronic Fabrication(2/E) Volume5 (2002)
· 7. http://www.terms.co.kr/FRAM.htm
· 8. http://eml.snu.ac.kr/research_snlc_pzt.htm
· 9. http://isdl.snu.ac.kr/%7Ebjlee/hspice/hspice-87.html
· 10. http://cst-www.nrl.navy.mil/lattice/struk/perovskite.html
· 11. Http://www.chem.ox.ac.uk/icl/heyes/structure_of_solids/
· Lecture4/Lec4.html