[전자재료, 반도체, 광학]리소그래피

소개

리소그래피 공정과 기술의 분류를 서술한 글입니다.

목차

1. 리소그래피(Photolithography)란?

2. 리소그래피 기술의 분류
a) 광학식 노광장치
b) 비(非) 광학식 노광장치

3. 리소그래피 공정

본문내용

반도체 제조용 노광 장치는 사용되는 광원의 종류에 따라 광학식 노광장치와 비광학식 노광장치로 구분되며, 광학식 노광장치는 사용되는 광원의 종류에 따라 KrF(248nm), ArF(193nm), F2(157nm)로 구성된 레이저계 노광장치, G-line(436nm), I-line(365nm)로 구성된 램프계 노광장치 그리고 EUV 노광장치로 구분되고 비광학식 노광장치는 사용되는 광의 종류에 따라 전자빔 노광장치, 이온빔 노광장치, X-ray 노광장치로 구분되어 있다.
a) 광학식 노광장치
노광장치에 사용되는 광원은 높은 세기와 강한 밝기를 가져야 고속으로 노광을 할 수 있다. 또한 작은 선 폭을 얻기 위해서는 짧은 파장을 사용하는 것이 좋지 만, 작은 램프에서 발산되는 빛은 짧은 파장에서 세기가 감소되므로 사용하기엔 부적당하다. 그리고 광 노출중 발생되는 열은 램프 주파수 스펙트럼 자체를 변경 시킬 뿐 아니라, 마스크의 크기를 변경시키고 투사형 시스템의 광로변경을 야기 시킬 수 있기 때문에 광학 시스템 내에 있는 공기가 가열되지 않도록 냉각시스템 을 장착하여야 한다.
a) 비(非) 광학식 노광장치
비광학식 노광장치는 광원에 따라 X선, 전자빔 그리고 이온빔 노광장치로 구 분된다. X선은 1960년대부터 1970년대 사이에 연구되어 온 입자 가속에서 얻어진 부산물로서 1GeV의 에너지를 가지고 강한 자계에 의해 진공 원형 링을 순환하는 전자에 의해 발생된다. 이 장치를 싱크로트론(Synchrotron)이라 하며 싱크로트론 에서 나온 X선을 광원에 적합하게 파장, 세기, 방향 등을 조절한다.

참고자료

· 1. 허규성. 2001. 반도체 공학.
· 2. 이종명. 2003. 반도체 기술 핸드북.
· 3. 임종성. 2000. 반도체 제조장치 입문.
· 4. 이건영. 1986. 반도체.
· 5. 황호정. 1999. 반도체 공정기술.
· 6. 특허청. 2002. 신기술 동향조사 보고서.