반도체, 진공펌프, TFT

목차

1. CVD, PVD 종류, 간략한 설명 및 비교하시오
2. 플라즈마에 대해 설명하시오
3. 진공 펌프의 분류
4. 반도체 제조공정 순서에 대해 간단히 설명하시오.
4. TFT란 무엇인지 설명하고 구조에 대해 알아보시오

본문내용

1. CVD, PVD 종류, 간략한 설명 및 비교하시오

(1) CVD(화학기상증착, Chmical Vapor Deposition)
반도체 공정에 이용되는 화학기상증착(CVD)이란 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판위에 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 박막을 형성하는 과정은 실리콘 웨이퍼에 있는 물질을 이용하지 않고 주고 가스를 외부로부터 반응실로 주입하여 이루어지기 때문에, CVD는 다른 반도체 공정과는 구별된다. 인입된 반응가스를 분해하는 데는 열, RF 전력에 의한 플라즈마 에너지, 레이져 또는 자외선의 광 에너지가 이용된다. 이러한 에너지에 의하여 기판이 가열되어 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD는 공정 중의 반응실의 진공도에 따라 대기압 화학기상증착과 저압 또는 감압 화학기상증착으로 부르기도 한다.

◆ CVD기술의 장점
1. 다양한 두께와 저항을 가지는 에피층을 기를 수 있다.
2. 다결정 실리콘막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막을 만들 때 낮은 비용으로도 박막을 얻 을 수 있다.
3. 실리콘 소자를 보호하기 위한 층으로 이용되는 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막을 낮은 온도에서 만들 수 있다.

◆ CVD 기술의 종류
1. 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)
대기압 고온 반응 장치는 실리콘 에피, 산화막 및 질화막을 형성하는 데 사용된다. 이들 반응 장치의 대부분은 RF 전력을 이용한 냉벽 공정이며, 반응실 내부의 열판을 가열시켜 가스를 열적으로 활성화시킨다.

참고 자료

없음