[반도체] 반도체 고직접기술 시험문제

소개글

반도체 시험문제와 답입니다.

시험 잘보세요

목차

1. Amorphous Silicon에서 Ploy Silicon 증착시 B,As,P을 함유한 결정화 온도는 약 500인 저온인데 비해서 Laser를 이용한 Poly Silicon 증착시 왜 더 높은 온도가 필요한가?

2. N-TFT가 P-TFT보다 Leakage Current가 더 높은 이유에 대해서 서술하시오.

3. N-TFT가 P-TFT보다 Contact 저항이 더 큰 이유에 대해서 서술하시오.

4. TFT에서 VD를 크게 할때 그림과 같이 Flat하다가 다시 상승하는데 계속 증가시키면 왼쪽으로 상승하는 이유는?

5. MILC에서 550도 8시간 수소분위기로 Hydrogen effect를 만들 때 Vaccum 분위기에서 500도 1시간에서는 안되는 이유는 무엇인가?

6. Electrical Stress가 나타나는 이유와 Vg/Vd 가 어떤 영향을 받는 지 쓰시오.

본문내용

저온 결정 실리콘을 만들기 위한 대표적인 증착기술인 LPCVD는 silan gas를 이용하여 약 100torr 정도 온도는 580~600℃ 정도로 active layer를 증착시키는 기술이다. 이것의 증착된 structure는 수직으로부터 약 15°도의 각을 가지고 기판 계면에 columnar structure룰 가진 특징을 가지고 있다. 이것은 또한 <110>방향을 우선적으로 배향하고 있다.
B, As, P을 이온주입하여 증착하는 기판의 결정화 기술은 이온주입시에 표면에 격자원자들과의 충돌에 의해 생성된 에너지가 격자원자등에게 전달되고 이 전달된 에너지는 그 격자 원자들이 전형적으로 약 25ev인 격자 결합 에너지로부터 자유롭게 움직일 수 있도록 충분히 높다. 따라서 이렇게 생성된 결자의 distorted bond 와 Si 원자들의 dangling bond가 B, As, P등과 다시 결합을 이루고 고온에서 다시 재결정이 되는데 역할을 하게 된다. 결정상에 나타난 incoherent twins 같은 defect들은 소자의 mobility에 영향을 주기도 하지만 이 특성의 극복을 위해 10-100시간 동안 어닐링(Annealing)하여 결함을 줄일 수 있다.
Poly Silicon을 만드는 Pulsed Laser Annealing기술은 1980년대 초기부터 주목을 받은 기술로서 이후 Excimer Laser Crystallization (ELC)기술로 발전되어 왔다. 이 기술은 강한 광학적인 흡착특징을 이용하여 상대적으로 넓은 면적을 고에너지로 결정화 시킬 수 있는 제조방법이다. 또 다른 이점은 poly-silicon의 결정화도가 LPCVD 방법에 비해 좋고 미세조직상으로 관찰하여 보아도 grain defect가 적은 장점이 있다.

참고 자료

없음