thin film process와 핵생성과정

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목차

□ CVD와 PVD 증착법의 원리와 차이점
● CVD
● PVD
● CVD와 PVD의 차이

□ Nucleation Mode
● 상변태 할 때 driving force
● 균일상 핵생성 (homogeneous nucleation)
● 불균일상 핵생성 (heterogeneous nucleation)

본문내용

CVD와 PVD 증착법의 원리와 차이점

CVD
① CVD의 정의 : 반응기체의 화학적 반응에 의해 기판에 증착하는 방법
② CVD의 원리
많은 화학반응들은 solid막의 증착이나 가열된 기판위에 기체물질로부터 1인치 두께의 코팅을 입히는데 유용하다. 이들은 불화물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 수소화물, 유기금속(금속 카르보닐 포함), 탄화수소, 인, 트리플루오라이드 복합체 그리고 암모니아 복합체의 환원과 열분해를 포함한다. 우리가 화학기상증착을 줄여서 CVD라고 부르는 과정은 금속, 합금중간금속, 붕소, 실리콘, 탄소, 붕화물, 규화물, 탄화물, 질화물, 산화물, 황화물 등의 증착에 유용하
(MW PECVD의 모습) 다. 대부분의 경우, CVD반응의 열적으로 활성
화되어지지만 몇 개의 경우 현저하게 발열 화학적 수송반응을 하는데 기판온도는 증착을 얻기위한 공급물질의 것보다 낮게 유지된다. 열적인 방법보다는 다른 것에 의한 활성화가 최근에 증명되어짐으로써 주의를 끌고 있다.

참고 자료

재료공학 관련 홈페이지 및 문서