전기공학머신러닝 실험 6. 모스펫 응용회로 및 주파수 특성 예비보고서

소개

"전기공학머신러닝 실험 6. 모스펫 응용회로 및 주파수 특성 예비보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 명 2
2. 실험 개요 2
3. 이론 조사 2
4. 실험 기기 4
5. 예비보고서 4
6. 실험 순서 5
7. 참고 문헌 10

본문내용

1. 실험명
실험 6. 모스펫 응용회로 및 주파수 특성

2. 실험 개요
Field Effect Transistor(FET)의 일종인 MOSFET의 응용 회로들을 구성해보고, 증폭기에서 주파수 특성에 대해 공부한다.

3. 이론조사
- MOSFET 스위칭 회로
MOSFET는 그림1(a)에 보인 것처럼 gate와 채널 사이에 절연체(SiO2)가 있어 forward bias를 인가할 수 있다. 그림1(b)의 E-MOSFET는 n-채널 중간에 p-채널이 있어, gate-source에 전압이 인가되지 않았을 때 소스의 전자가 중간의 p-채널에 막혀서 drain에 도달할 수가 없다. 하지만 +전압을 인가하면 gate가 전자를 끌어당겨 가운데 p-채널의 hole과 결합하고, 더 끌어오면 n-채널로 변환되어 전류가 흐르기 시작한다. 전류가 흐르기 시작하는 최소 gate-source전압을 VGS(th)라 한다.

Figure 1. 그림 1
E-MOSFET를 스위칭 소자로 사용하기 위해서는 ohmic region과 cutoff region을 사용해야 하고 그림2(a)의 회로로 구성할 수 있다. 그림2(b)의 load line에서 보듯이 ohmic region에서 동작시키기 위해서는 saturation 시켜야 하며, 이는 RD를 RDS(on)보다 충분히 크게 설정하여야 한다. E-MOSFET를 on으로 작동시키려면 gate 전압에 VGS(on)을 인가한다 (VGS(on) 값은 data sheet 참조). 이때 그림2(c)에 보인 것처럼 작은 저항(= RDS(on))으로 작동한다. off 시키기 위해서는 gate 전압에 0V를 인가한다(등가회로: 그림2(d)).

참고자료

· 광운대학교 전기공학과, 전기공학머신러닝, 43-47p.