LED(PN Diode) 측정 및 분석 실습 Report

소개글

LED(PN Diode) 측정 및 분석 실습 Report 입니다. (A+ 받은 Report)

목차

1. 서론
2. 배경지식
3. 실험과정
4. 결과 및 고찰

본문내용

1. 서론

PN접합 다이오드에서 역방향 전압을 계속 증가시키게 되면 특정한 전압에서 갑자기 역방향 전류가 증가하는 현상이 생기는데 이것을 Zener 현상 또는 Avalanche 현상이라 하며 이때 전압을 항복전압이라고 한다. 일반적으로 Avalanche breakdown은 공핍층에서 전자-정공쌍이 연이어 만들어 낼 수 있을 정도의 매우 높은 전기장 에너지 공급에 의해 발생된다.
또한Potential이 가해져 있는 반도체 소자에 Band Gap보다 큰 에너지의 빛을 조사하면 Valance Band에 있던 전자가 Conduction Band로 여기되며 전자-정공쌍을 형성하여 소자에 전류가 흐르고 이때 흐르는 전류를 Photocurrent라 한다. 반도체 특성분석기를 이용하여 Photocurrent 측정을 통해 반도체 소자가 가진 광성능을 확인할 수 있다.
마지막으로4-point probe는 반도체의 비저항, 특

히 절연체 위에 형성된 금속 박막의 비저항을 측정하는데 있어서 가장 널리 사용되는 방법으로 특별한 calibration 절차가 필요 없는 측정이 매우 간단하고 정확한 방법이다.
따라서 이번 실습에서는 PN junction diode소자의 I-V curve 특성 분석 및 Photocurrent 분석을 통한 Decay time 분석, 4-point probe를 이용한 Resistance 분석을 진행한다.

2. 배경지식

2.1 PN junction diode (LED)

LED란, Light Emitting Diode(발광 다이오드)의 약자로 전류를 가하면 빛을 발하는 반도체 소자이다. 반도체는 크게 단원소 반도체, 화합물 반도체, 유기물 반도체로 분류되는데 LED는 이중 화합물 반도체에 속한다.

참고 자료

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https://gamma0burst.tistory.com/596
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https://m.blog.naver.com/PostView.naver?isHttpsRedirect=true&blogId=iotsensor&logNo=220298902231
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강전홍(J H Kang),유광민(K M Yu),이상화(S H Lee),and 박영태(Y T Park). "Single-Configuration Four-Point Probe method를 이용한 휴대형 면저항 측정기 개발." 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2011.6월 (2011): 1045-1046.
https://blog.naver.com/namgoocha/220148839850,
“TLM을 이용한 접촉저항 구하기”