Transistor를 이용한 회로 실험 결과 보고서

목차

1. 실험 목적
2. 실험 원리
3. 실험 도구 및 재료
4. 실험 방법
5. 측정값 및 실험 결과
6. 논의 및 검토
7. 결론
8. 참고문헌 및 출처

본문내용

1. 실험 목적
트랜지스터를 이용한 회로들을 구성하고 물리량들을 측정함으로써 트랜지스터의 기본적인 동작원리와 3가지 동작모드 그리고 증폭특성에 대해 이해한다.

2. 실험 원리
1) 트랜지스터의 증폭작용
트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 다음과 같은 관계식이 성립한다.
(는 전류 증폭률) (2.1)
트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다.

2) 이미터 공통(common emitter)회로
그림 1의 트랜지스터는 3가지 동작영역을 갖는다는 것을 알 수 있다. 컬렉터 전류와 베이스 전류가 의 관계를 갖는 영역을 선형 동작영역(활성 영역), 컬렉터 전류와 베이스 전류가 의 관계를 갖지 않는 포화 동작영역, 베이스 전류가 주어지지 않아 컬렉터 전류도 흐르지 않는 영역을 차단(cut-off) 동작영역이라고 한다.
만약 트랜지스터에 그림 1과 같이 직류 전압만이 아니라 교류 전압도 같이 입력되는
상황을 생각해보자. 그러면 과 바뀌므로 동작점 ※부하선은 특성곡선위에 그려지는 출력 전류()대 전압()의 그래프로 부하선과 특성곡선의 교점을 동작점이라고 하며 이는 회로가 동작할 때의 전압 및 전류의 제약을 나타낸다.
이 변하게 되고 그림 2에서 0.5mA에서 0.4mA로 변하는 것과 같이 증폭이 된다. 하지만 0.6mA로 변할 때에는 증폭이 덜 되는 것을 볼 수 있다. 이때 출력 파형 입력 파형이 찌그러진 모양이 된다.
그림 1의 회로는 잘 쓰이지 않고 증폭회로의 안정성을 높이기 위해 그림 3-(a)와 동작점을 계산하기 위해 그림 3-(b)의 회로를 이용해 실제적인 이미터 접지 증폭기를 구성할 수 있다.
그림 3의 회로에서 어떤 이유로 Ic 값이 증가하면 위의 가정에 의해 RE 양단의 전압강하가 커져 이미터의 전위가 높아지므로 Vbe 값이 줄고 따라서 Ib 값도 줄게 된다.

참고 자료

Adel Sedra, Kenneth Smith. Microelectronic Circuits, 5th ed.
http://www.phys.pusan.ac.kr/phys/index..do