실험10_전자회로실험_예비보고서_MOSFET 바이어스 회로

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목차

1.제목
2.실험절차
3.실험에 대한이론-예비보고사항

본문내용

1. 제목
- MOSFET 바이어스 회로
2. 실험 절차
<게이트 바이어스 회로>
실험회로 1에서 V_GG값이 4V, R_D는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S,R_1,R_2 를 구하고 기록하라.
<베이스 바이어스 회로>
실험회로 2에서 드레인 전류가 1mA 가 되도록 R_D를 구하고, 표에 기록하라.

참고자료

· 없음