A+ / 조직공학 레포트

소개글

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목차

1. 반도체 8 대 공정
1.1 포토공정

2. 노광방식의 변천사

3. Euv
3.1 Euv 노광장비의 작동원리
3.2 Euv af immersion 비교
3.3 멀티 패터닝 기술 마스크, euv 마스크 비교
3.4 euv의 단점

4. 결론

본문내용

• 반도체 공정은 1. 웨이퍼 제조, 2. 산화 공정, 3. 포토공정, 4. 식각공정, 5. 박막공정, 6. 금속배선 테스트(eds 공정) 7. 패키징 순으로 이루어져 있음
• 웨이퍼는 반도체 집적회로를 만드는데 사용하는 주재료이며 웨이퍼 제조 공정은 반도체 공정에 있어서 시작점
• 산화공정은 웨이퍼 표면에 실리콘산화막으로 형성하여 트랜지스터의 기초를 만드는 과정
• 포토공정은 산화 공정까지 마친 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려 넣는 과정
• 식각 공정을 통하여 반도체의 구조를 형성하고 필요한 회로 패턴 이외 부분을 제거
• 다음 과정인 박막공정은 증착공정과 이온주입 공정을 진행한다.
-증착 공정은 회로 간의 구분과 연결, 보호 역할을 하는 박막을 만드는 과정
-또한 이론주입 공정은 반도체가 전기적인 특성을 갖도록 만드는 과정
• 금속배선공정은 반도체 회로에 전기적 신호가 잘 전달되도록 전기길을 연결하는 과정
• Eds 공정은 전기적 특성검사를 통해 개별칩들이 원하는 품질수준에 도달했는지 확인하는 공정으로 테스트 공정이라고도 함
• 패키징 공정은 반도체 칩이 외부와 신호를 받을 수 있도록 길을 만들고 다양한 외부환경으로부터 안전하게 보호받는 형태로 만드는 과정

1.1 포토공정
이 과정들 중 euv 공정은 포토공정에 해당이 된다. 이 포토공정은 위에서 언급했듯이 산화공정 까지 마친 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려넣는 과정이며 포토 공정은 1. 표면처리 2. 스핀코팅 3. Soft bake 4. aligment and exposure 5.PEB(pre-exposure bake) 6. 현상 7. hard bake 순서로 진행이 된다. 아래에 각 순서에 대한 설명에 대하여 기재해 놓았다.

1.1.1. 표면처리
• Wafer의 친수성인 표면을 화학 처리하여 소수성 표면으로 바꿔줘 PR의 접착력을 향상시키는 과정
• HDMS증기에 노출시켜 친수성 표면을 소수성 표면으로 바꿈

참고 자료

없음