전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성

목차

1. 이론개요
2. 트랜지스터
3. 관계
4. 참고 문헌

본문내용

1. 이론개요
쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어진다. 트랜지스터는 두 개의 n형 재료 층 사이에 하나의 p형 재료 층이 놓이거나(npn), 두 개의 p형 재료 층 사이에 하나의 n형 재료 층이 놓이는(pnp) 구조를 갖는다. 어느 경우에서나 중간층이 트랜지스터의 베이스를 형성하고 바깥 두 층이 트랜지스터의 컬렉터와 이미터를 형성한다, 이 구조가 인가되는 전압의 극성 그리고 전자 이동 또는 관습적인 전류 방향을 결정한다. 후자에 대해서 말하면, 트랜지스터 형태에 관계없이 트랜지스터의 이미터 단자에 표시된 화살표는 관습적인 전류 흐르의 방향을 나타내므로 유용한 참고사항을 제공한다. 이 실험 과정에서 트랜지스터의 형태, 재료, 단자를 결정하는 방법을 보여 줄 것이다.
여러 가지 동작 조건에서 쌍극성 접합 트랜지스터에 관련된 전압과 전류 사이의 관계가 트랜지스터의 성능을 결정한다. 이러한 관계를 총체적으로 트랜지스터의 특성곡선이라고 한다. 트랜지스터 제조 회사는 규격서에 발표된 값과 비교하는 것이 이 실험의 목적 중 하나이다.

2. 트랜지스터
- 규소나 게르마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이며 전류나 전압 흐름을 조절하여 증폭이나 스위치 역할을 한다.
- 가볍고 소비전력이 적은 장점이 있고, 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용 되고 있다.
- 적정 온도 이상 시, 파고되어 온도 특성이 나쁘고 과대 전류 전압에 파손되기 쉽다.
- BJT란, Bipolar Junction Transistor의 약자이다.

2-1) 구 조
일반적으로 트랜지스터는 3개의 반도체 단자를 가진다.
- 에미터 (Emitter) : 전기 반송자를 방출한다.

참고 자료

http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1153756&cid=40942&categoryId=32384
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=4484
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=710hsy&logNo=220285842498