실험소요장비
계측기 - DMM
부품
저항
설계 실험이기 때문에 부품 목록에 저항 값을 규정하지 않았다. 설계 과정에서 결정된 저항을 별도로 요구하여 준비하여야 한다.
1) 300Ω, 1.2kΩ, 1.5kΩ, 3kΩ, 15kΩ, 100kΩ
2) 1MΩ 전위체계, 설계에서 요구되는 여러 저항
트랜지스터
2N3904 또는 등가
2N4401 또는 등가
전원
직류전원
이론 개요
1) 컬렉터 귀환
- 베이스 저항 를 전압원에 직접 연결 하지 않고 컬렉터로 피드백을 시킨 구조이다.
- 피드백 연결을 통해 에 대한 영향을 줄여, 매우 안정된 동작점을 얻을 수 있다.
- 이미터 전류가 증가하면 에서의 전압은 증가하고,는 감소하며 또한 감소한다.
- 가 증가하게 되면 안정도가 감소하게 된다.
2) 이미터 바이어스
- 양과 음의 두 전압원을 이용하여 트랜지스터가 활성 영역에 동작하도록 하는 방법이다.
- 이미터 바이어스 회로는 이미터에 저항을 사용하는 회로이기 때문에 고정 바이어스보다 안정도가 높다. 를 통하는 전류의 흐름이 증가하게 되면, 베이스 회로에 전해지는 부 전압이 커지게 되고, 베이스 전류가 감소하게 되면, 이미터 전류 또한 감소하게 된다.
3) 전압분배기 바이어스
- 전압분배 바이어스 보단 덜 안정하지만 전압분배기 바이어스 또한 값의 영향을 덜 받게 된다.
- 이미터 쪽의 저항은 전체 전압 크기의 1/4 ~ 1/10정도로 정하고, 나머지 저항 값은 입력 측과 출력 측 부분 별로 해석하여 정의 할 수 있다.
참고자료
· 제 11장 - BJT 바이어스 회로 설계', 전자회로실험 제 11판, Robert L. Boylestad
· https://wps.prenhall.com/chet_paynter_introduct_6/6/1664/426014.cw/index.html
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