(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계

소개

"(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계"에 대한 내용입니다.

목차

1. 요약
2. 서론
3. 설계실습 결과
4. 결론

본문내용

10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 여기서 M1이 diode-connected transistor이다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96%, 5.96%, 13.76%로 매우 낮아 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 일치했고 IO, IREF 또한 오차율 9.75%, -2.24%로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 비슷한 값이 측정되어 잘된 실험이라고 할 수 있겠다.
10V의 Power Supply 전압을 인가하고 Cascode Current Mirror 회로를 구현해 transistor M2, M4의 VGS2, VG42, Vo를 측정하고 Io와 IREF를 계산하였다. 측정 결과 VGS2, VGS4, Vo의 오차율은 각각 5.71%, 5.31%, 16.2%로 매우 낮아 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 일치했고 Io, IREF 또한 오차율 15.3%, 0.49%로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 비슷한 값이 측정되어 잘된 실험이라고 할 수 있겠다.

참고자료

· 없음