실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서

소개

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목차

1. 실험 개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경이론
4. 실험회로 및 PSpice 시뮬레이션
5. 실험절차
6. 예비 보고사항

본문내용

(1) NMOS와 PMOS의 기본적인 동작 원리를 설명하시오.
NMOS의 경우 소오스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역 방향 바이어스 상태에 있어야 하므로, 바디는 접지시켜야 한다. [그림 9-3]과 같이 게이트에 양의 전압이 인가될 경우 n형 채널이 형성되기 시작한다. 게이트에 약간의 양의 전압이 인가되었다고 해서 n형 채널이 형성되지는 않고 문턱 전압 이상이 인가될 경우 충분한 양의 전자가 쌓여서 채널이 형성된다. 문턱 전압은 V。로 표시하며, NMOS의 경우에는 그 값이 보통 0.4〜1.0V이고, PMOS의 경우에는 -1.0〜-0.4V이다.

게이트에 이상의 전압이 인가되어 채널이 형성된 후, 에 적은 양의 전압이 인가될 경우의 전류의 흐름을 보여주고 있다. 전자가 소오스 단자에서 드레인 단자로 이동하므로 전류는 드레인에서 소오스로 흐르게 되고, 보통 드레인 전류 로 나타낸다. 전압이 작은 경우에는 전압과 전압이 거의 비슷하므로, 채널이 균일하게 분포되어 있다.

참고자료

· 없음