반도체 7개공정 요약본

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"반도체 7개공정 요약본"에 대한 내용입니다.

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WAFER 란 ?
- 반도체 집적회로의 핵심 재료
- 실리콘(Si), 실리콘카바이드(4H-SIC), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판

1.1 INGOT 제조
- 쵸크랄스키법(CZ) : 다결정의 실리콘을 고열로 녹여 액체상태로 만든 뒤 단결정 실리콘을 접촉시켜 성장시키는 방법
- 부유대역법(FZ) : 잉곳을 다시 정제하는 방법으로써 잉곳을 녹였다 식혔다를 반복하면서 불순물은 위에 붙고 아래쪽엔 고순도의 잉곳을 형성시키는 방법

1.2 웨이퍼 연마
Edge Rounding :웨이퍼의 테두리를 부드럽게 하는 공정
Lapping : 웨이퍼를 전반적으로 평탄하게 만드는 공정
Etch : 웨이퍼 표면의 가공 데미지를 화학 약품을 섞은 혼합물을 이용해 제거하는 공정
CMP(Chemical Mechanical Polishing): 화학 물질과 기계적 마찰을 모두 이용하는 연마 공정

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