다이오드 예비보고서

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 기초 이론
3. 실험 방법
4. 시뮬레이션 결과
5. 회로도

본문내용

실험 목적
다이오드로 회로를 구성하고 실험을 해봄으로써 다이오드의 특성과 맥동률, 정류기를 이해한다.
기초 이론
1. 반도체
상온에서 전기 전도율이 도체와 부도체의 중간 정도인 물질을 말하며 4족 원소에 5족을 첨가한 n형 반도체와 3족을 첨가한 p형 반도체가 있다.
2. 다이오드
P형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 구조를 다이오드라고 하고 p영역에 접속된 단자를 애노드, n영역에 접속된 단자를 캐소드라고 한다.
3. 결핍층
p, n형 반도체 접합부에 전하를 띈 이온들이 쌓이는 영역이 생기는데 이를 결핍층이라고 한다.
4. 전위장벽, 바이어스
p, n 영역의 전위차를 전위장벽이라고 하고 다이오드에 인가되는 전압을 바이어스라고 한다.
5. 순방향 바이어스
p형 반도체에 높은 전압을 가해줄 때를 말하며 전압이 전위장벽을 없애서 전류가 흐르고 결핍층이 좁아진다.
6. 역방향 바이어스
n형 반도체에 높은 전압을 가해줄 때를 말하며 전위장벽을 강화시키고 약간의 누설전류가 흐른다.
7. 다이오드 방정식
다이오드의 전압, 전류 관계식을 나타낸 방정식으로 = [exp ( ) − 1] (k = 볼츠만 상수, q = 전자 하나의 질량, T = 절대온도, = 역포화 전류)로 표현할 수 있다. 전류가 급격히 증가할 때의 전압을 문턱 전압이라고 한다. 다이오드 자체는 과도한 전류가 흐를 수 있기 때문에 저항과 직렬 연결하여 사용한다.
8. 다이오드 등가회로
다이오드는 비선형 소자이기 때문에 선형적인 모델로 근사하면 편리하다.
9. 정류
컴퓨터, TV 등은 교류전원을 직류로 변환시켜 사용하며 이를 어뎁터라고 한다. 교 류를 직류로 변환시키는 작용을 정류라고 한다.
10. 반파 정류기
교류의 양의 반주기만 출력되는 것으로 출력은 맥류가 되고 = 의 최대 진폭)이 된다.
11. 전파 정류기
교류의 전 사이클을 출력하는 것으로 = 가 된다.

참고 자료

없음