1. 실험 목표
NMOS 트랜지스터를 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 설계하고 입력에 대한 출력을 확인한다.
2. 실험 방법 및 예상 실험 결과(Simulation)
다음은 실험에 사용한 2N7000의 parameter 값이다.
.model 2n7000 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0.2 Vmax=0 Xj=0
+ Tox=2u Uo=600 Phi=.6 Kp=1.073u W=.12 L=2u Rs=20m Vto=1.73
+ Rd=.5489 Rds=48MEG Cgso=73.61p Cgdo=6.487p Cbd=74.46p Mj=.5
+ Pb=.8 Fc=.5 Rg=546.2 Is=10f N=1 Rb=1m)
[실험1] Common-Source Amplifier
[1-1] 다음 그림은 2N7000 NMOS 트랜지스터를 사용한 Common-Source 증폭기 회로이다. PSPICE 등으로 증폭기 회로를 구현하시오. (Textbook Example 4.14 참조 바람)
[2-4] Simulation 값들을 비교하여 RS의 역할에 대하여 분석하시오.
온도 증가에 따라, VGS 는 별다른 차이를 보이지 않았으나, RS가 있을 경우에 온도를 높여주자 전류는 소폭 증가하고, RS가 없을 경우에 온도를 높여주자 전류는 대폭 증가하였다. 즉, RS는 온도에 민감한 트랜지스터가 고온의 경우에 노출되었을 때, 전류가 과도하게 흘러 오작동을 일으키는 것을 방지해주는 역할을 한다고 볼 수 있다.
[실험3] AC Analysis
[3-1] [2-1] 회로에 대해 AC Analysis Simulation을 수행하고 OUT에 대한
(a) Mid-Band Gain [dB] (b) fL [Hz] (c) fH [Hz] 값을 구하시오.
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