워드 
-
미리보기
목차
없음본문내용
Scope
FEP 로드맵은 MOSFET, DRAM storage capacitors, FeRAM devices와 관련된 미래의 process 요구사항 및 솔루션에 중점을 둔다. 이 장의 목적은 이러한 device와 관련된 핵심 FE wafer 제조 공정 기술 및 material에 대한 미래 요구 사항과 솔루션을 정의하는 것이다. 따라서 이 로드맵은 silicon wafer substrate에서 시작하여 contact silicidation processes를 통해 확장되는 단위 및 통합 process뿐만 아니라 도구, material를 포함한다.
일부 FEP 관련 주제는 이 로드맵의 다른 섹션에 나와 있다. FEP 요구 사항을 주도하는 확장된 device 성능 및 구조의 예측은 Process Integration, Devices, and Structures (PIDS) chapter에서 다룬다. Trench 절연을 위한 copper/low-κ dielectrics cleaning과 surface preparation, plasma etch 및 CMP에 대한 문제는 interconnect 도구 문제와 겹치기 때문에 Interconnect chapter에서 찾을 수 있다. FEP의 crosscut 요구 사항은 Yield Enhancement, Metrology, Environment, Safety, & Health, 그리고 Modeling & flex2038Simulation에서 다루고, FEP factory 요구사항은 Factory Integration chapter에서 다룬다.참고자료
· 없음태그
-
자료후기
Ai 리뷰MOSFET 및 memory 소자 관련 공정 기술의 주요 과제와 해결 방안을 상세히 제시하고 있습니다.
-
자주묻는질문의 답변을 확인해 주세요
꼭 알아주세요
-
자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다. -
해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.
파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치 파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우
문서 초안을 생성해주는 EasyAI
