전기공학실험1 11장 CE구성의 특성곡선 및 B 측정 결과

목차

1. 실험목표
2. 사용기기 및 부품
3. 실험이론
4. 실험방법
5. 결과데이터
6. 실험고찰
7. 질문들

본문내용

3. 실험 이론
트랜지스터는 그 사용법에 따라서 에미터 접지 또는 에미터 공통, 베이스접지 또는 베이스 공통, 콜렉터 접지 또는 콜렉터 공통의 3가지 기본 구성방법이 있다. 이들 중 에미터 공통회로는 전압증폭, 전류증폭, 전력증폭을 하기 때문에 가장 많이 사용된다.

에미터 공통회로에 대한 출력특성과 입력특성곡선이 그림 11-1에 나타내었다

출력톡성은 콜렉터 특성을 말하고, 입력특성은 베이스특성을 나타낸다.

그림 11-2는 npn형 트랜지스터의 출력정류 Ic를 입력전압 V(BE)의 함수로 나타낸 그림으로 CE 트랜지스터회로에 대한 여러 가지의 동작영역을 나타낸다.

<중 략>

4. 실험방법
(가) β 측정
1. 그림 11-7의 회로를 구성하라.
2. 전원을 넣고, 가변저항 R2를 최대치에서 최소치까지 변화시킨다. 따라서, 이 회로에서 베이스 전류 I(B)는 최소치에서 최대치까지 증가하게 된다. I(B)가 증가함에 따른 Ic의 변화를 관찰하고, 그 결과를 표에 기록하라.
3. 베이스 전류가 10uA 가 되도록 가변저항 R2를 조정하여라. 또한 콜렉터전압이 6V가 되도록 가변저항 R4를 조정하여라. 이 때 콜렉터전류 Ic를 측정하여 표에 기록하라.

참고 자료

없음