공통 소오스 증폭기
- 최초 등록일
- 2021.10.01
- 최종 저작일
- 2018.09
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소개글
성균관대 전자회로실험 레포트입니다
A+받았으며 당시 전체 학생 중 1등하였습니다
목차
1. 실험 개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 예비 이론
4. 실험회로 및 Pspice 시뮬레이션
5. 예비 보고 사항
6. 실험 절차
7. 출처 (Reference)
8. 고찰
본문내용
1. 실험 개요
이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
● DC 파워 서플라이 ● 디지털 멀티미터 ● 오실로스코프
● 함수발생기 ● 2n7000(NMOS) 1개 ● 저항
● 커패시터
<중 략>
5. 예비 보고 사항
(1) NMOS의 소신호 등가회로에 대해서 설명하고, g _{m}과 r _{0}는 드레인 전류와 어떤 관계인지 유도하시오.
1) 소신호 등가회로
소신호 모델은 대부분 정해진 바이어스 조건에서 동작하는 간단한 회로로 구현된다. 소신호 트랜지스터 모델은 Tr을 여러개 묶어서 사용해야 하는 경우가 많기 때문에 소신호 등가회로 모델을 사용을 한다. 이것은 결국 소신호모델은 신호가 작아서 완전히 선형적인 동작만을 하고 있다 가정을 내포하고 있다는 의미이다.
소신호 분석은 DC 전압원과, 소신호 AC 전압원이 있을 경우, 소신호 전압에 의해서 작동하는 회로를 분석하는 방식이다. 따라서 DC 전압원은 접지시킨 후, 전류원과 커패시턴스는 단락하여 분석한다. 이렇게 회로를 그린 것이 소신호 등가회로이다.
MOSFET에서는 소자 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화 시킨 등가회로로서 하이브리드 pi 모델과 T모델이 존재한다. 왼쪽에 있는 그림이 하이브리드 모델, 오른쪽에 있는 그림이 T모델이다.
참고 자료
단계별로 배우는 전자회로실험 – 한빛아카데미 이강윤 지음
마이크로전자회로 6판 – 한티미디어, 정원섭/김호성/도규봉/유상대/정덕진 공역
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=5013&id=1227&nav=0 - r _{O}와 I _{D}의 관계