트랜지스터 기본회로 실험 결과보고서
- 최초 등록일
- 2021.09.25
- 최종 저작일
- 2021.04
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목차
1. 개요
2. 실험기기
3. 실험결과
4. 고찰
본문내용
I. 개요
트랜지스터를 스위치 소자로 사용하는 경우와 증폭 소자로 사용하는 두가지 모드에서의 동작을 실험적으로 확인하고 이를 통해 트랜지스터의 특성에 대한 이해를 심화한다. LED 점멸 회로의 예를 통해 트랜지스터를 스위치로 사용하는 회로를 구성하여 보고 또한 트랜지스터를 전류원으로 사용할 때와 비교하여 그 차이점을 이해하도록 한다.
2. 실험기기
테스터, 오실로스코프, 직류전원장치(dual), 함수발생기, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, 트랜지스터(2N4401) 1개, LED 2개, 저항 100Ω(5W) 1개, 150Ω 1개, 220Ω 1개, 330Ω 2개, 2.2kΩ 2개, 10kΩ 1개, 1kΩ 가변저항 1개
3. 실험결과
에미터공통회로에서의 측정
(1) 예비보고서 1항의 내용에 준하여 그림1의 회로를 결선하라. 여기서 RC는 1kΩ 가변저항으로 하고 접속 전에 100Ω으로 조정하여 놓도록 한다. (가변저항의 회전 방향에 따라 저항값의 증가, 감소도 확인하여 놓는다).
(VBB = 5V, RB = 10kΩ, RC = 100Ω)
예상 결선 회로 실제 결선 회로
(2) 전원전압을 20V로 놓고 그때의 회로의 상태를 측정, 기록한다.
[VCC=20V] 예상 값 측정 값
VBE 758.6mV
VCE 10.54V
VBE의 경우 거의 일치한 것을 볼 수 있지만, VCE는 약 40%의 오차가 발생하였다. 저항들의 오차, 트랜지스터의 오차로 인해 발생했다고 볼 수 있다.
(5)항의 공식을 이용하면 β_ⅆc는 314.4이고, IC(sat)은 0.2A, IB(sat)은 0.64mA로 구해진다. (5)에서 구한 IC와 IB를 비교해보면 IC(sat)>IC, IB(sat)>IB로 active region에서 작동하는 것을 알 수 있다.
(3) 전원전압을 0V쪽으로 감소시켜 나가면서 트랜지스터의 동작상태가 바뀌는 지점을 찾는다. 동작상태의 변화는 어떻게 검출하는가? 그 방법을 기록하고 동작상태가 바뀌는 기점에서의 전압과 회로상태를 기록한다.
참고 자료
없음