(특집) 포토공정 심화 정리15편. EUV Photo공정

소개글

(특집) 포토공정 심화 정리15편. EUV Photo공정 파일입니다.

총 19편으로 구성되어 있으며 해당 포토공정 공부를 통해 반도체 회사에 입사할 수 있었습니다.
반도체업계 취업준비를 하고 있다면 큰 도움이 되실거에요!

목차

1. What is EUV?
2. EUV 노광 시스템
3. EUV 용 MASK(Reticle)
4. 기존 Photolithography와 비교
5. EUV 공정의 장점

본문내용

* EUV 노광 시스템

- 광원 제작
1) Laser induced plasma(직접 레이저를 쏘는 방식) / 전자 방출 plasma(아크방식으로 전자방출)의 두 가지 방식(극 초단파 생성)
2) 제작 공정비용 상 Laser induced 방식을 주로 사용
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- Laser induced plasma 방식
1) CO2 laser를 Target 물질(Sn or Xe)에 입사 → Plasma 발생
2) Laser to Plasma 효율이 1% 이상 되어야 함
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- 노광계
1) 공기를 포함한 대부분의 매질에 흡수, EUV 빛의 한계 → 기존 노광 장비처럼 투과형 렌즈 사용 불가
2) 각종 반사형 렌즈(평면렌즈, 오목렌즈)를 이용하여 Plasma to Reticle, Reticle to Wafer 구현합니다.
- 어마어마한 갯수의 반사막을 써야합니다.(반사→반사→반사→반사...)

참고 자료

없음