인하대 기초실험2 제너다이오드

목차

1. 역방향 파괴현상
2. 제너 파괴 현상
3. 제너다이오드 전류-전압 특성 곡선
4. 제너다이오드 특성
5. 제너다이오드 응용

본문내용

1. 역방향 파괴현상
- 사태파괴: 매우 높은 역전압에서 발생
- 제너파괴: 비교적 낮은 역전압에서 발생

2. 제너 파괴 현상
- 매우 높은 도핑 반도체에서 발생 -> 공핍층이 매우 좁다
- 매우 좋은 공핍층 -> 매우 강한 전계 -> 역전압 근처에서 쉽게 전자들을 가전자대로부터 끌어당겨 전류발생
- 제너 파괴 전압: 대개 5v 정도

3. 제너다이오드 전류-전압 특성 곡선
특징: 순방향은 일반 다이오드와 동일하다
역방향은 일반 다이오드와 비슷하나 낮은 역전압에서 파괴가 발생

4. 제너다이오드 특성
- 제너변곡전류 : 역방향 전압 증가에 따라 전류가 급증할 때 전류
- 제너파괴전압 : 제너 시험 전류가 흐를 때 전압
- 제너최대전류 : 다이오드 전기적 정격에서 흐르는 최대전류

참고 자료

없음