3. 실계실습 계획서
3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)
본문내용
1. 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.
2. 준비물 및 유의사항
DC Power Supply(2channel) 1대
Digital Multimeter (이하 DMM) 1대
<중 략>
3. 실계실습 계획서
3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 Vov=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라
자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다. 자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다. 저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.
파일오류
중복자료
저작권 없음
설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우