공통 이미터 증폭기 설계 결과보고서

목차

Ⅰ. 실험 결과
Ⅱ. 결과 분석 및 고찰
Ⅲ. 참고 문헌

본문내용

Ⅰ. 실험 결과

1. 부품 선정
실험에서 설계해야 하는 공통 이미터 회로가 그림 19-1에 나와 있다.  값(10V)은 트랜지스터 최대 정격(  = 40V, 최대값) 이내에 있으며, 출력 전압 스윙을 3   까지 허용한다. 중간 주파수 대역인    에서는 커패시터 값으로      와    이 적당하다. 설계에서 트랜지스터의  값은 최소 =100으로 고려하라.

a.   의 값을 다음과 같이 정하라.
        

b.  의 목표값을 각 조마다 다른 값으로 설정하고  값을 결정한다. 예를 들어 의 목표 값이      일 경우  의 값은 다음과 같이 구한다.        Ω

c. 회로의 바이어스가   = 5V(의 1/2) 근방에 오도록 를 선택하라. 이 경우           이므로
        ΩΩ 사용

<중 략>

2. 전반적인 오차발생 원인
1) 직렬, 병렬 연결된 저항과 커패시터
실험의 회로에서 사용되는 커패시터의 경우 소자값이 15uF의 값을 가지는 단일 커패시터가 존재하지 않았다. 따라서 대신 10uF 커패시터를 사용하였다. 저항 또한 규격에 맞는 단일 소자가 없는 것들은 직렬 연결을 통해 값을 맞춰주었다. 그러나 이와 같이 연결을 통해 원하는 값을 만들어 소자들을 구현하는 경우에는 단일 소자를 사용하여 구현한 회로에 비해서 소자수가 상당히 증가하여 그로인한 오차 역시 증가하게 될 것이다. 따라서 오차 발생을 줄이기 위해선 단일 소자를 사용하는 것이 좋다.
2) 온도 변화에 따른 반도체 소자 특성 변화
반도체 소자인 BJT와 커패시터의 경우에는 온도변화에 따라서 특성이 변하는 소자들이다.

참고 자료

Robert L. Boylestad 외 2저,『전자회로실험 제 10판』,ITC(2011)