Patterning and treatment of SiO2 thin films 예비보고서 A+

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론
1) 플라즈마 (Plasma) 란?
2) 반도체 제조 공정과 정의
3) Lithography 란?
4) 식각(etching)의 종류와 정의
5) P-N 접합이란
6) 박막의 식각 및 증착 공정을 활용한 소자들에 대한 원리와 구조
7) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유 (자신의 생각을 첨부)

참고문헌 (상세히 작성)

본문내용

1. 실험 목적
박막위에 새겨지는 마스크에 의해 만들어지는 패턴에 관한 공정을 이해하고, 막의 표면을 검사하고, 식각전과 후의 두께에서의 변화를 잰다.

2. 실험 이론
1) 플라즈마 (Plasma) 란?
플라즈마란 물질의 4가지 상태중 하나이다. 플라즈마는 기체분자 혹은 에너지에 에너지가 가해지며 이온화가 발생하여, 많은 양이온과 전자가 생성되고, 이들이 자유롭게 떠다니는 상태에 이르게 되며 이때 전기적인 준 중성 상태를 가지게 된다. 다시 말해, 이온과 전자밀도가 거의 같게 이온화되있는 상태의 기체를 플라즈마라고 정의하는데, 보통 디바이 차폐를 만족하는 이온화된 기체로 표현을 한다. 이 플라즈마는 자유전하로 인해, 전기전도도가 높고, 전자기장에 대해 매우 큰 반응을 한다. 이때 이온화된 기체가 플라즈마로 불릴 수 있는 조건은 다음의 3가지를 만족해야 한다.

참고 자료

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연규호/반도체공학(기초)/상조사/1994/pp118~121
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