2. 이론 (Theory)
1) 반도체(Semiconductor)의 종류와 원리
2) 반도체 소자의 형명 판별법
3) 다이오드(Diode)
4) P-N접합 다이오드
5) 다이오드 종류
6) 트랜지스터
7) 트랜지스터의 작용과 특성
8) 기타 트랜지스터
3. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
4. 데이터 및 결과 (Data & Results)
본문내용
Ⅰ. 개요 (Introduction)
(1)반도체 소자의 형명 및 구성을 이해한다.
(2)각종 반도체 소자의 극성판별 및 부품 점검, 방법을 알아본다.
Ⅱ. 이론 (Theory)
0. 반도체(Semiconductor)의 종류와 원리
-> p형(vacancy가 전자에 비해 많은)과 n형(전자가 vacancy비해 많은)의 반도체 혹은 반도체와 금속을 접합시켜 각각에 전극을 부착한 것. 전자를 p-n 접합 다이오드, 후자를 쇼트키 다이오드라 한다. 전류-전압 특성이 옴의 법칙에 따르지 않고 전극에 인가하는 전압의 방향에 따라 비대칭적인 거동을 한다. 이것 말고도 정류용 다이오드, 검과용 다이오드, 발광 다이오드. 서미스터. 발광 다이오드(LED)등이 있다.
1. 반도체 소자의 형명 판별법
반도체 소자에 대한 형명은 미국에서는 1N...., 2N...., 등의 JEDEC 규정에 의하여 쓰고 있고 구라파에서는 로마자와 숫자의 조합으로 표시되고 있으며, 일본에서 쓰고 있는 형명은 일본공업규격 JIS 와 일본 전자기계 공업회 표준 규격인 EIAJ에 의한 표시로 2SA.., 2SB.., 등의 형명이 사용되고 있으며 우리나라에서는 주로 일본 형명 호칭법을 많이 사용하고 있다. 형명구성은 5항으로 되어있고, 각각의 뜻은 다음과 같다.
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