전자전기컴퓨터설계실험3 - 예비레포트 - 실험11 - MOSFET(MOSFET Amplifier Circuit) (A+)

목차

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab

2. Materials & Methods (실험 장비 및 재료와 실험 방법)
가. Experimental data to obtain and Order of experiment
나. Materials (Equipment, Devices) of this Lab

3. Supposed Data and Results of this Lab (예상 실험 결과)
가. Pre-Lab 1.
나. Pre-Lab 2.
다. Pre-Lab 3.

4. Matters that require attentions (주의 사항)
가. Attentions to manipulate equipment
나. Cause of suppose error & Effort for reducing error

5. Reference (참고문헌)

본문내용

1. Introduction (실험에 대한 소개)

가. Purpose of this Lab
MOSFET 트랜지스터를 사용하여 Common-Source 증폭기 회로를 설계하고 그 동작을 알 수 있다.

나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
(1) MOSFET Amplifier
(가) Biasing the MOSFET Amplifier
MOSFET의 Gate의 전압에 따라 그림 1과 같이 출력 전압이 변함을 알 수 있다. 그림 1의 오른쪽 그래프에서 Gate의 전압이 Threshold Voltage보다 작다면 MOSFET에 전류가 흐르지 않아 출력 값이 V_DD가 됨을 알 수 있다. 그 다음 Gate가 Threshold Voltage보다 크다면 MOSFET에 전류가 흐르고 따라서 출력 값은 Gate에 얼마의 전압을 인가해 주는가에 따라 달라지게 된다.
하지만 Gate전압이 더 커져서 Saturation 영역이 아닌 Linear영역이 되면 Gate전압의 변화에 비해 출력 전압의 변화가 작아지게 된다.

(나) The MOSFET Amplifier with a Small Time-varying Signal
그림 1에서 시간에 따라 변하는 아주 작은 신호를 인가했을 때 그림 2와 같이 나타낼 수 있다.
그림 2에서는 Saturation 영역에서의 동작을 보여준다. Saturation 영역에서는 작은 입력 신호의 변화를 증폭해서 출력으로 내보낸다. 하지만 동작 영역이 Threshold Voltage보다 작은 영역에서 신호를 입력한다면 출력은 V_DD가 되고 Linear 영역에서 동작하게 되면 출력 신호는 입력 신호보다 더 작은 값을 가지게 될 것이다.

2. Materials & Methods (실험 장비 및 재료와 실험 방법)

가. Experimental data to obtain and Order of experiment

참고 자료

Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016), p362-p383, p461-p463
“정보통신기술용어해설" http://www.ktword.co.kr/index.php
실험 교안 ppt파일