[A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서8 MOSFET Current Mirror 설계

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3.1 (A) 2N7000의 data sheet (교재에서 캡쳐)
Data sheet를 보면 2N7000의 Threshold Voltage = Vt=2.1V이다.
triode region에서 ID=knVgs-VtvDS이다. =>kn=IDVgs-VtvDS이다.
위 식에 data sheet의 조건인 VGS=4.5V, ID=75mA, VDS(on)=0.14V를 대입하면
kn=752.4*0.14=223mAV2=kn'WL이다.
12kn'WL=111.5mAV2이다.

(B) IREF=12 kn'WLVGS2-Vt2=111.5VGS2-2.12=10 , (VGS2-2.1)2=0.0897, VGS2=2.4V=VDS2
R1=VDD-VDS2IREF=10-2.4V10mA=0.76kΩ
(C) M1이 saturation에서 동작한다. => VDS1≥Vov => 10-(Io*RL)≥2.4-2.1
Io*RL≤9.7V 에서 M1이 saturation에서 동작한다. RL≤0.97kΩ, RL의 최대값은 0.97kΩ이다
RL값이 줄어들어도 위의 조건을 만족하기 때문에 M1은 saturation에서 동작한다.
(D) PSPICE 회로도

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