[이학전자학실험보고서] 트랜지스터실험보고서

소개

"[이학전자학실험보고서] 트랜지스터실험보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험목적

2. 실험이론
(1) 트랜지스터의 구조
(2) 트랜지스터 이미터 공통회로
(3) 트랜지스터 증폭 작용
(4) 에미터 접지법

3. 실험기구 및 재료

4. 실험방법

5. 실험결과

6. 결론 및 검토

본문내용

1. 실험목적
-트랜지스터의 기본적인 동작원리를 이해한다
-트랜지스터의 3가지 동작모드를 이해한다.
-트랜지스터 증폭 특성에 대하여 이해한다.

2. 실험이론
(1)트랜지스터의 구조

I_C= βI_B (식 3-1)

트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류증폭기 로서의 기능이다. 즉 미약한 입력신호 전류를 증폭시켜 큰 출력신호 전류가 되도록 하는 기능을 갖는 소자가 트랜지스터이다. 트랜지스터를 이용하여 회로를 적절히 구성하면 베이스 전류를 입력전류로 하고, 컬렉터 전류를 출력전류로 할 때 이들 사이에는 전류 증폭률 β 의 관계가 성립하게 된다.

(2)트랜지스터 이미터 공통회로

트랜지스터 회로의 동작특성을 해석하기위해서 가장 중요한 것은 입력전류인 베이스 전류IB, 출력전류인 컬렉터 전류 IC와 입력전류와 출력전류의 비로 정의되는 전류 증폭률β를 구하는 것이다.

I_B=V_(R_B )/R_B =(〖(V〗_BB-V_B))/R_B 식 3-2)

I_C=V_(R_C )/R_C = (V_CC-V_CE )/(R_C ) (식 3-3)

β=I_C/I_B (식 3-4)

트랜지스터는 3가지 동작영역을 갖는다. 차단동작영역, 선형동작영역, 포화 동작영역이 트랜지스터의 3가지 동작영역이다. 위 그림의 트랜지스터 회로에서 (식 3-1) 와 같이 입력전류인 베이스 전류 IB에 트랜지스터 정격 전류증폭률β를 곱한 전류값이 출력전류인 컬렉터 전류 IC가 되는 관계를 만족할 때 이를 트랜지스터의 선형동작영역 이라고 한다. 이는 트랜지스터가 전류증폭기로써 정상적으로 동작하고 있는 동작영역이다.
이에 비해 트랜지스터 회로에서 컬렉터전류 IC가 베이스 전류 IB에 트랜지스터의 정격 전류증폭률β를 곱한 전류값보다 적게 흐르는 경우를 포화 동작영역 이라고한다. 이는 전류증폭기로써 동작하기 위한 컬렉터 전류보다 적은 전류가 흐른다는 의미이다.

참고자료

· 없음