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전자회로실험1 9주차예보

*민*
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최초 등록일
2020.07.29
최종 저작일
2016.04
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목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 기초 이론
4. 실험 과정
5. Pspice 시뮬레이션

본문내용

실험 제목
소스공통 증폭기

실험 목적
1. MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.
2. MOSFET증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. 소스 공통 증폭기의 전압이득을 측정한다.

기초 이론
JFET와 마찬가지로 MOSFET도 드레인전류가 게이트 전압에 의해 제어되는 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET와 JFET는 물리적으로나 동작에 있어서 다르다. MOSFET는 제작되는 방식에 따라 디플리션형 또는 인핸스먼트형으로 나뉜다. MOSFET는 JFET보다 훨씬 큰 인피던스를 가진다.

1.인핸스먼트형 MOSFET
- 드레인과 소스사이에 채널이 형성되어있지 않고 N형 드레인과 P형기판에 의해 분리되어있다. 기판위에 매우얇은 절연막을 형성하고 그 위에 게이트로 작용하는 금속이 증착된다. 그리고 게이트, 드레인, 소스 및 기판에 전극용으로 ohmic접촉이 형성된다.

참고 자료

없음
*민*
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