[신소재기초실험]산화 공정 - Oxidation Process

소개글

산화공정의 진행 순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론 및 원리
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 토의 사항

본문내용

1. 실험 목적
RK. 실험 목표
산화공정의 진행 순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다. 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하고 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질이다. 그러므로 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.

2. 실험 이론 및 원리
가. 산화 공정
반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성시키는 공정이다 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질이다. 자연에서의 생기는 산화막은 표면이 고르지 못해서 활용을 하는데 무리가 있다.

참고 자료

없음