[A+]양극성 접합 트랜지스터(BJT) 결과레포트(Fundamentals of bipolar junction transistor and switching experiment)

소개글

"[A+]양극성 접합 트랜지스터(BJT) 결과레포트(Fundamentals of bipolar junction transistor and switching experiment)"에 대한 내용입니다.

목차

Ⅰ. Introduction
1.1 Purpose
1.2 Theoretical Background

Ⅱ. Methods
2.1 Requirements
2.2 Procedure

Ⅲ. Results

Ⅳ. Discussion
4.1 Overall Discussion
4.2 Causes of Errors

Ⅴ. Conclusion

Ⅵ. References

Ⅶ. Appendices

본문내용

1.1 Purpose
양극성 접합 트랜지스터(Bipolar junction transistor, BJT)는 휴대용 트랜지스터 라디오, 휴대전화 및 컴퓨터, 원격 조종, 자동차의 전자기기 등에 널리 사용된다. 트랜지스터는 증폭기로서의 역할과 스위치로서의 역할을 하는데 이번 실험에서는 증폭기로서의 역할을 알아본다. 전압의 변화에 따른 콜렉터에서의 전류를 측정하고 Active 구간에서의 전류 이득(Current gain)을 계산하여 BJT의 작동원리를 파악한다.

1.2 Theoretical Background

FIGURE 1.1 Symbol and structure of transistor.
(1) Transistor
FIG. 1.1은 실험에 쓰인 트랜지스터 2N3904의 모양과 각 핀에 해당하는 반도체를 표시한 것이다. 왼쪽부터 콜렉터 베이스, 이미터를 의미한다. 트랜지스터(Transistor)는 저마늄, 규소 따위의 반도체를 이용하여 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 반도체소자이다. BJT(Bipolar junction transistor) NPN과 PNP로 나누어진다. 본 실험에서는 NPN 트랜지스터를 사용하였으며 BJT 증폭기는 그라운드의 위치에 따라 common emitter, common base, common collector로 나누어지는데 이미터쪽에 그라운드가 위치한 common emitter 회로(FIG. 2.2)를 사용하였다.

FIG. 1.4와 1.5는 각각 NPN, PNP 트랜지스터를 나타낸다. B는 베이스(Base), C는 콜렉터(Collector), E는 이미터(Emitter)를 의미한다. 이미터에는 불순물 농도가 가장 높게 도핑된다. BJT는 3개의 반도체를 서로 다른 도핑으로 접합시킨 것이다. 트랜지스터는 p형 반도체 사이에 n형 반도체가 있는 PNP, n형 반도체 사이에 p형 반도체가 있는 NPN 트랜지스터로 나뉘어진다.

참고 자료

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