트랜지스터의 전류-전압 특성 곡선, 얼리효과, 이미터 공통증폭기, 이미터 팔로워 실험 보고서(전자회로 실험), A+ 보고서, 과학기술원자료
- 최초 등록일
- 2019.09.05
- 최종 저작일
- 2019.05
- 16페이지/ 한컴오피스
- 가격 1,500원
소개글
과학기술원에서 전자회로 실험 트랜지스터의 전류-전압 특성 곡선, 얼리효과, 이미터 공통증폭기, 이미터 팔로워 실험 보고서입니다. 2019년 1학기에 A+를 받았고 믿고 쓰셔도 됩니다.
실험은 총 트랜지스터의 전압-전류 특성곡선 측정, 트랜지스터 직류 바이어스 회로, 트랜지스터 전압 분배 바이어스(2N2222A), 트랜지스터 소신호 증폭기(이미터 공통 증폭기), 트랜지스터 소신호 증폭기(이미터 팔로워)로 이루어져 있습니다.
목차
1. 실험목표
2. 이론적 배경
3. 실험방법
4. 준비물
5. 실험 결과
6. 결론 및 오차의 원인
7. 참고 문헌
본문내용
Ⅰ. 실험목표
가. 트랜지스터의 전압-전류 특성곡선에 대해 알아보고, 실제 트랜지스터에서 얼리효과 나타나는 것을 확인해본다.
나. 트랜지스터와 저항을 바꾸어 가면서 여러 개의 공통 이미터 증폭기 회로와 이미터 팔로워 회로를 구성해보고, 베이스 전류, 컬렉터 전류, 와 의 값을 측정해본다.
Ⅱ. 이론적 배경
가. 트랜지스터와 전류-전압 특성곡선
트랜지스터에는 Bipolar junction transistor(BJT)와 Field effect transistor(FET) 두 가지 종류가 있다. 우리가 실험에서 사용하는 트랜지스터는 양극성 접합 트랜지스터로 BJT이다. 양극성 접합 트랜지스터는 pnp, npn의 두 가지 종류가 있으며, 이미터, 컬렉터, 베이스로 구성되어 있다. BJT는 전자와 정공 두 캐리어를 이용하여 스위칭하거나 증폭 등의 작용을 한다. npn 트랜지스터를 기준으로 보면, 베이스와 이미터 사이의 전압은 순바이어스 전압이고, 컬렉터와 이미터 사이의 전압이 역바이어스 전압일 때 활성모드가 된다. 얼리효과 적용되지 않는 이상적인 트랜지스터의 경우 자유전자의 밀도의 식을 이용하여 컬렉터 전류를 구하면 다음과 같다.
나. 얼리효과
얼리효과란 BJT의 비이상적인 성질로, 미국의 공학자 Early가 그 원인을 밝혀내어서 붙여진 이름이다. 이상적인 트랜지스터에서는 [그림 2]처럼 에 의해 가 변하지 않아야 하지만, 실제 트랜지스터에서는 가 증가함에 따라 도 약간씩 증가하는 경향을 보인다. 얼리효과를 고려하여 컬렉터 전류를 구해보면 다음과 같다.
참고 자료
마이크로 전자회로, 한티미디어, Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, p.657-690
전자회로와 계측법 실험 전자교재, 이기준 p.105-125
전자회로와 계측법 전자교재, 이기준 p.130-236