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가천대학교 전자공학과 기초회로실험 휘트스톤브리지 예비 결과레포트

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최초 등록일
2018.06.24
최종 저작일
2018.05
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소개글

가천대학교 기초회로실험 휘트스톤브리지 예비, 결과 레포트입니다.

목차

Ⅰ. 예비레포트
1. 실험목적
2. 실험재료
3. 이론요약
4. 실험순서

Ⅱ. 결과레포트
1. 실험개요
2. 실험데이터
3. 결과분석및결론

본문내용

1. 실험목적
이 실험을 통해 다음을 할 수 있도록 한다.
1. 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구한다.
2. <목적 1>에서 구한 테브낭 회로가, 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명한다.
3. 휘트스톤 브리지를 평형시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구한다.

2. 실험재료
저항 : 470, 1.0k, 1.2k, 2.2k 1개 씩
전위차계 : 10k 1개

<중 략>

실험개요
이번 실험은 테브낭 등가회로를 구하고 테브낭 등가회로가 원래 회로와 비교했을 때 부하에 대해 같은 결과를 같는다는 것을 이해하고 휘트스톤 브리지를 평형 브리지로 변환시켜 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하는 실험이였음.
휘트스톤 브리지라 하면 통상 스트레인 게이지를 이용하여 압력이나 무게를 측정하는 센서의 원리에 이용되는 회로를 말함. 여기에는 평형조건을 이용하여 압력에 의해 변화하는 저항값에 의해 전압차가 발생하여 전류를 측정하여 얼마나 압력이 가해지는지를 측정하는 것을 내포하고 있음.

참고 자료

FLOYD기초회로실험|David M.Buchla|ITC
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