다이오드에 대하여 설명하시오

목차

Ⅰ. 다이오드의 원리와 기본특성
ⅰ. P형 반도체와 N형 반도체
ⅱ. 다이오드의 기본구조
ⅲ. P형 반도체와 N형 반도체를 접합했을 시의 현상
ⅳ. 전압을 가할 시의 현상

Ⅱ. 다이오드의 종류
ⅰ. 범용다이오드
ⅱ. 쇼트키 베리어 다이오드
ⅲ. 정전압 다이오드(제너 다이오드)
ⅳ. 발광 다이오드(LED)
ⅴ. 가변용량 다이오드(배리캡 또는 버랙터)
ⅵ. 브릿지 다이오드

참고문헌

본문내용

Ⅰ. 다이오드의 원리와 기본특성
전기가 통하기 쉬운 정도, 즉 저항률은 물질을 구성하고 있는 원자의 최외각전자(원자핵으로부터 가장 먼 궤도에 있는 전자)와 원자핵의 결합세기로 정해진다. 자유전자가 많아 전기가 흐르기 쉬운 도체(예 : 금속류), 외각전자가 원자핵에 강하게 구속되어 전기가 통하지 않는 부도체(예 : 유리), 그리고 도체와 부도체의 중간사이로 외각전자의 이동성을 제어할 수 있는 반도체가 있다. 반도체의 대표적인 재료로는 Si(실리콘)이 있다.

ⅰ. P형 반도체와 N형 반도체
순수한 반도체는 순도 99.99999999%의 Si(실리콘)이나 Ge(게르마늄)이 사용되고 있다. 실리콘은 최외각전자가 4개인 구조로 되어있다. 일반적으로 원자의 최외각전자는 8개가 되어야 안정한 상태가 될 수 있으므로 각 실리콘의 전자는 공유결합(원자의 최외각의 일부가 비어있는 경우 두 원자가 서로의 가전자를 공유함으로써 최외각을 완전히 채워서 안정을 찾으려는 결합)하여 8개의 최외각전자를 가짐으로써 안정한 상태가 된다. 이때는 자유전자가 없으므로 전기저항이 비교적 큰 상태가 된다. 여기에 여러 불순물을 섞게 되면 저항이 작아져 전기가 흐르기 쉽게 되는데, 불순물의 종류에 따라 P형과 N형으로 나누어진다.
최외각전자가 5개인 비소, 인, 안티몬 등을 불순물로서 섞으면, 외각전자가 8개를 공유한 상태에서 불순물의 외곽전자 1개가 남아 이것이 자유전자(과잉전자)가 된다. 이 상태에서 전압을 가하면 도체에 전류가 흐르는 것과 똑같이 전자의 흐름에 의해 전기가 통하게 된다. 이를 N형 반도체(- 전하, 캐소드)라 한다.
최외각전자가 3개인 알루미늄, 갈륨, 붕소 등을 불순물로 섞으면, 외각전자가 8개를 공유한 상태에서 전자가 1개 부족하게 되며 정공을 만든다. 이 상태에서 전압을 가하면 정공 가까운 곳의 전자가 움직여 정공을 채우게 되어 마치 정공이 밑에서 위로 움직이는 듯한 모습이 된다. 이를 P형 반도체(+ 전하, 애노드)라 한다.

참고 자료

http://www.exledmall.com/shop/goods/goods_view.php?goodsno=9306
http://blog.daum.net/cmskshon/6075673
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=davidsbkim&logNo=1500219