pvd,cvd의 종류와 원인 분석, 펌프와 진공펌프의 종류,원리 분석
*민*
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소개글
신소재공학의 반도체 deposition의 과정을 소개하고 분석합니다.또한 과정에 필요한 진공펌프에 대해 종류와 작동원리등이 설명되어 있습니다.
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고려대 실험 보고서입니다.
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없음본문내용
배경지식- Deposition (증착) ; 반도체 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정으로 deposition process는 웨이퍼 표면에 원하는 물질을 박막의 두께로 입혀 전기적인 특성을 갖게 하는 과정이다. 이 과정에서 분자 또는 원자 단위의 물질을 웨이퍼에 여러 겹으로 쌓게 되는데, 박막을 얼마나 얇고 균일하게 입혔느냐에 따라 반도체의 품질이 좌우되기 때문에 매우 중요한 공정 중 하나이다. 또한 박막의 두께가 워낙 얇기 때문에 정교하고 세밀한 기술이 필요하다.
증착은 크게 물리적 기상증착방법(PVD, Physical Vapor Deposition)과 화학적 기상증착방법(CVD, Chemical Vapor Deposition)으로 나뉜다. 물리적 기상증착방법(PVD)은 금속 박막의 증착에 주로 사용되며 화학반응이 수반되지는 않는다.
이와 달리 화학적 기상증착방법(CVD)은 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들을 외부 에너지가 부여된 수증기 형태로 쏘아 증착 시키는 방법으로 도체, 부도체, 반도체의 박막 증착에 모두 사용될 수 있다.
- PVD (Physical vapor deposition)
- 증착하고자 하는 박막과 같은 재료를 진공 중에서 증발 또는 스퍼터링을 시켜 기판 위에 증착시키는 기술이다. (이물질이 박막과정에 증착되는 것을 방지하기 위해 진공상태에서 진행된다.) 이에는 열증발법(thermal evaporation), 전자빔 증발법(electron-beam evaporation),
스퍼터링법(sputterion)이 있다.
(1) 열증발법(thermal evaporation)
가장 일반적인 물리적 기상 증착법으로 진공상태에서 높은 열을 금속원에 가해 기화한 다음 상대적으로 낮은온도의 기판에 박막을 형성하는 것으로 고체가 승화된 다음 기판에서 고화되는 것으로 쉽게 생각할 수 있다. 생성된 기체입자는 오직 직선운동을 하므로 기판을 놓는위치가 중요하다.
참고 자료
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